[发明专利]晶圆级封装之方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装之方法，包含：

(i)提供一暂时基板；

(ii)形成一半导体组件于该暂时基板上，其中该半导体组件包含复数个发光单元，并且每一个发光单元具有至少一正电极以及一负电极；

(iii)分别形成复数个凸块于该发光单元之该正电极以及该负电极上；

(iv)形成一第一封装层于该暂时基板上并覆盖该半导体组件；

(v)设置一封装基板黏着该第一封装层，其中该封装基板系电性连结该复数个凸块；

(vi)移除该暂时基板；

(vii)形成一第二封装层于该半导体组件上，其中该第二封装层与该封装基板分别位于该半导体组件之相对两端；以及

(viii)切割该复数个发光单元，形成复数个半导体发光组件封装结构。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

每一个该发光单元包含一p型半导体层，至少一发光层以及一n型半导体层，并且该至少一发光层可以发出至少一种波长之光线。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

该(iv)步骤系利用转注成型(transfer molding)、旋转涂布(spincoating)或注射成型(injection molding)之手段形成，而该第一封装层包含环氧树脂(epoxy)、硅胶(silicone)或其混合或改质之材料。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

该(vii)步骤系利用转注成型(transfer molding)、旋转涂布(spincoating)或注射成型(injection molding)之手段形成，而该第二封装层包含环氧树脂(epoxy)、硅胶(silicone)或其混合或改质之材料。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

更包含一研磨(grinding)该第一封装层之表面的步骤于该(iv)步骤与该(v)步骤之间，藉此使得该第一封装层之表面形成一光滑平面。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

该封装基板黏着该第一封装层之手段系利用异方性导电(anisotropic conductive)材料固接而成，并且该异方性导电材料包含薄膜(film)、胶(gel)或膏(paste)，利用热压转印(thermal transfer printing)之手段形成。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

该封装基板包含一电路结构，并且该电路结构具有一第一电路结构以及一第二电路结构分别位于该封装基板之相对两侧，而该发光单元系藉由该复数个凸块电性连结该电路结构之该第一电路结构。

8.根据权利要求7所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

该电路结构具有至少一导信道，并且该导信道连结该第一电路结构以及该第二电路结构。

9.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于：

更包含一覆盖至少一荧光层于该发光单元的步骤于该(vi)步骤与该(vii)步骤之间，其中该至少一荧光层包含钇铝石榴石(YAG)、铽铝石榴石(TAG)、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其组合。

10.根据权利要求1所述的晶圆级封装之方法，其特征在于，所述的半导体发光组件封装结构，包含：

一部分之该封装基板；

至少一该发光单元，位于该封装基板上；

一部分之该第一封装层，位于该封装基板上并且环绕该至少一发光单元；以及

一部份之该第二封装层，覆盖该至少一发光单元与该一部分之第一封装层。