[发明专利]正向发光的发光二极管封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：包含：

一硅基板，具有一第一面以及一第二面，该第一面以及该第二面分别位于该硅基板的相对两侧；

至少一第一半导体组件，设置于该硅基板的该第一面，用以发出至少一波长的光线；

至少一第二半导体组件，设置于该硅基板的该第二面；以及

一电路结构，设置于该硅基板的该第一面及该第二面，其中该电路结构用以将该至少一第一半导体组件以及该至少一第二半导体组件电连结至外部电路；

其中该第一面是该正向发光之发光二极管封装结构的出光面，而该第二面是该正向发光之发光二极管封装结构的底面，并且该底面用以接合外部电路。

2.根据权利要求第1项所述的正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：该至少一第一半导体组件以及该至少一第二半导体组件分别为半导体发光组件、发光二极管、雷射发光二极管、齐纳二极管或其组合。

3.根据权利要求第1项所述的正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：更包含：

一第一凹杯以及一第二凹杯，其中该第一凹杯设置于该第一面而该第二凹杯设置于该第二面，并且该至少一第一半导体组件以及该至少一第二半导体组件分别设置于该第一凹杯与第二凹杯中；

一第一反射层以及一第二反射层，其中该第一反射层位于该第一凹杯之杯壁，而该第二反射层位于该第二凹杯之杯壁；以及

一第一绝缘层以及一第二绝缘层，其中该第一绝缘层及第二绝缘层分别覆盖于该第一反射层以及该第二反射层。

4.根据权利要求第1项所述的正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：该硅基板为低电阻材质，一第三绝缘层设置于该电路结构与该硅基板之间，其中该第三绝缘层用以防止该电路结构的导通电流渗入该硅基板中。

5.根据权利要求第1项所述的正向发光之发光二极管封装结构，其特征在于：该硅基板开设贯穿该第一面和第二面的多个通孔，并且该电路结构通过该多个通孔，从该第一面延伸至该第二面。

6.一种形成正向发光之发光二极管封装结构的方法，包含以下步骤：

提供一硅基板，具有一第一面以及一第二面，其中该第一面以及该第二面分别位于该硅基板之相对两侧；

形成一电路结构于该硅基板之该第一面及该第二面；

设置至少一第一半导体组件于该硅基板之该第一面，其中该至少一第一半导体组件用以发出至少一波长之光线，并且该至少一第一半导体组件电性连结于该电路结构；以及

设置至少一第二半导体组件于该硅基板之该第二面，并且电性连结于该电路结构；

其中该第一面为该正向发光之发光二极管封装结构之出光面，而该第二面为该正向发光之发光二极管封装结构之底面，并且该底面用以接合外部电路。

7.根据权利要求第6项所述的形成正向发光之发光二极管封装结构的方法，其特征在于：还包含：

形成一第一凹杯于该第一面以及一第二凹杯于该第二面之步骤，其中该第一凹杯以及该第二凹杯是通过湿式蚀刻法形成；

形成一第一反射层以及一第二反射层之步骤，其中该第一反射层位于该第一凹杯的杯壁而该第二反射层位于该第二凹杯的杯壁，并且该第一反射层以及该第二反射层系利用电镀法、蒸镀法或电子束磊晶形成；以及

形成一第一绝缘层以及一第二绝缘层之步骤，其中该第一绝缘层位于该第一反射层上而该第二绝缘层位于该第二反射层上，并且该第一绝缘层与该第二绝缘层系藉由热氧化法或氮化方式形成。

8.根据权利要求第7项所述的形成正向发光之发光二极管封装结构的方法，其特征在于：还包含形成一第三绝缘层位于该电路结构与该硅基板之间，其中该第三绝缘层为氧化硅或氮化硅，是通过热氧化法或氮化方式形成，该硅基板为低电阻材质。

9.根据权利要求第6项所述的形成正向发光之发光二极管封装结构的方法，其特征在于：还包含利用湿式蚀刻形成多个通孔于该第一面上，其中该多个通孔从该第一面贯穿该硅基板至该第二面。

10.根据权利要求第9项所述的正向发光之形成正向发光之发光二极管封装结构的方法，其特征在于：还包含利用蚀刻法使得该电路结构形成一第一电极及一第二电极，其中该第一电极与该第二电极彼此电性不相同，并且该至少一第一半导体组件或该至少一第二半导体组件系通过打线接合或覆晶分别电性连结于该第一电极以及该第二电极。