[发明专利]多栅结构MOSFET模型的建模方法有效
| 申请号： | 201010118016.4 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102194691A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 何佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 mosfet 模型 建模 方法 | ||
1.一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，包括：
测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件有源区两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；
根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数SAeff和SBeff，所述等效模型参数包括：
其中，NF为所述MOSFET元件中的栅的个数，Ldrawn为所述MOSFET元件的沟道长度；
根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。
2.根据权利要求1所述的多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，所述多栅结构MOSFET模型包括多栅结构MOSFET应力模型。
3.根据权利要求2所述的多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，所述MOSFET元件的沟道长度为0.13微米及0.13微米以上。
4.根据权利要求1所述的多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，所述建立所述多栅结构MOSFET模型后，还包括：
对多栅结构MOSFET模型进行仿真处理，获取所述MOSFET元件的电路参数。
5.根据权利要求4所述的多栅结构MOSFET模型的建模方法，其特征在于，所述电路参数包括：阈值电压和/或迁移率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
