[发明专利]微流控芯片的基片模具及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010119179.4 申请日: 2010-03-05
公开(公告)号: CN102192988A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 许斌;刘伟;潘龙法;姚勤毅 申请(专利权)人: 北京同方光盘股份有限公司
主分类号: G01N35/00 分类号: G01N35/00;G03F7/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 100084 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 微流控 芯片 模具 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微流控芯片的基片模具的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上覆盖光刻胶;

对所述光刻胶进行曝光和显影;

对所述基板进行化学镀处理;

去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板的直径等于光盘母盘的直径。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板的厚度为300微米到1000微米。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为负性光刻胶。

5.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述负性光刻胶为SU-8系列负光刻胶。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述光刻胶进行曝光和显影包括:

对所述光刻胶进行前烘处理;

对前烘处理后的所述光刻胶进行曝光;

对曝光后的所述光刻胶进行后烘处理;

对后烘处理后的所述光刻胶进行显影。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,

所述前烘处理包括:

将带有所述光刻胶的所述基板在处于第一预定温度的热盘上放置第一预定时间;

将所述第一预定温度加温至第二预定温度,并在所述第二预定温度对带有所述光刻胶的所述基板加热第二预定的时间,

所述后烘处理包括:

将曝光后的所述光刻胶在第三预设温度加热第三预定时间;

将所述第三预定温度加温至第四预定温度,将曝光后的所述光刻胶在所述第一预定温度加热第四预定的时间。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对所述光刻胶进行曝光和显影之后,所述方法还包括:

对显影后的所述基板的表面进行金属化处理。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板为镍金属基板。

10.一种微流控芯片的基片模具,其特征在于,所述微流控芯片模具的第一端具有微流控芯片模型,其中,所述微流控芯片模型通过以下方法来形成:

在基板上覆盖光刻胶;

对所述光刻胶进行曝光和显影;

对所述基板进行化学镀处理;

去除光刻胶。

11.根据权利要求10所述的微流控芯片的基片模具,其特征在于,所述基板为镍金属基板。

12.根据权利要求11所述的微流控芯片的基片模具,其特征在于,所述微流控芯片模具的直径等于光盘母盘的直径。

13.根据权利要求11所述的微流控芯片的基片模具,其特征在于,所述微流控芯片模具的厚度为300微米到1000微米。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的微流控芯片的基片模具,其特征在于,微流控芯片模具包括一个或多个微流控芯片的基片模型。

15.根据权利要求10至13中任一项所述的微流控芯片的基片模具,其特征在于,所述微流控芯片模具的第二端为平面结构。

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