[发明专利]半导体系统有效
| 申请号： | 201010119271.0 | 申请日： | 2010-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101807565A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·约布尔;海科·布拉姆尔;乌尔里希·赫尔曼;托比亚斯·非 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 系统 | ||
1.半导体系统，其中具备上侧的半导体(2、4、11、12)与由箔 片复合体(7、8、9)形成的电连接装置(6)相连接，所述上侧设有 触点(10)，其中，在所述连接装置(6)与所述半导体(2、4、11、 12)的所述上侧之间设置有底填充物(14)，
其特征在于，
所述底填充物(14)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质，其中， 所述陶瓷前驱体聚合物以凝胶状或热固性的形式存在。
2.根据权利要求1所述的半导体系统，其是功率半导体系统。
3.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，利用填料以高达80 体积％的填充度来填充所述陶瓷前驱体聚合物。
4.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，利用填料以高达 50体积％的填充度来填充所述陶瓷前驱体聚合物。
5.根据权利要求3或4所述的半导体系统，其中，所述填料是由 陶瓷材料构成的、具有处于0.5μm至500μm范围内的平均颗粒尺寸的 粉末。
6.根据权利要求5所述的半导体系统，其中，在室温下，所述陶 瓷材料的热导率λ大于10W/mK。
7.根据权利要求5所述的半导体系统，其中，在室温下，所述陶 瓷材料的热导率λ大于20W/mK。
8.根据权利要求5所述的半导体系统，其中，所述陶瓷材料选自 如下的组：BN、SiC、Si3N4、AlN、滑石、堇青石。
9.根据权利要求1-4之一所述的半导体系统，其中，所述陶瓷前 驱体聚合物选自如下的组：聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚碳硅烷。
10.根据权利要求1-4之一所述的半导体系统，其中，所述半导体 (2、4、11、12)的背离所述上侧的底侧与衬底(1)连接。
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