[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201010119645.9 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814424A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 藤原真树;永田笃史;佐田彻也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,该基板处理装置向基板供给第1处 理液而实施显影处理这样的液处理,回收上述第1处理液而利 用第2处理液对上述基板进行清洗,其特征在于,
包括:
基板输送路径,其以平流方式输送上述基板;
第1处理液供给部件,向在上述基板输送路径中输送的上 述基板供给第1处理液;
气体供给部件,其朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任 一方向,向在上述基板输送路径中输送的、被供给上述第1处 理液后的上述基板的基板表面吹出沿着基板宽度方向以直线状 延伸的帘幕状的气流;
第1冲洗液供给部件,其以喷出时的拍击变小的流速向在 上述基板输送路径中输送的、被上述气体供给部件吹过气流后 的上述基板的基板表面供给上述第2处理液;
第2冲洗液供给部件,以比上述第1冲洗液供给部件高的流 速向被上述第1冲洗液供给部件供给上述第2处理液后的、在上 述基板输送路径中输送的上述基板的基板表面供给上述第2处 理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板输送路径具有形成水平的输送路径的第1输送区 间、形成与上述第1输送区间连续的向上倾斜的输送路径的第2 输送区间、和形成与上述第2输送区间连续的向下倾斜的输送 路径的第3输送区间;
上述第1处理液供给部件设置于上述第1输送区间,上述气 体供给部件设置于上述第2输送区间,上述第1冲洗液供给部件 及上述第2冲洗液供给部件配置在由上述第2输送区间和上述 第3输送区间形成于输送路径上的隆起部的上方。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第2冲洗液供给部件具有喷出上述第2处理液的冲洗 喷嘴;
上述冲洗喷嘴以对于在上述基板输送路径中输送的基板的 基板表面、其喷出方向朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任 一方向的状态配置。
4.一种基板处理方法,该基板处理方法向基板供给第1处 理液而实施显影处理这样的液处理,回收上述第1处理液而利 用第2处理液对上述基板进行清洗,其特征在于,
执行以下步骤:
在基板输送路径中以平流方式输送上述基板,向基板上供 给第1处理液;
朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向,向在上述 基板输送路径中输送的、被供给上述第1处理液后的上述基板 的基板表面吹出沿着基板宽度方向以直线状延伸的帘幕状的气 流;
以喷出时的拍击变小的流速向被吹过上述气流后的、在上 述基板输送路径中输送的上述基板的基板表面供给上述第2处 理液;
以更高的流速向被在上述步骤中供给上述第2处理液后 的、在上述基板输送路径中输送的上述基板的基板表面供给上 述第2处理液。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向向被供给上 述第1处理液后的上述基板的基板表面吹出沿着基板宽度方向 以直线状延伸的帘幕状的气流的步骤是对在向上倾斜的上述基 板输送路径中输送的上述基板执行的。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,
以更高的流速向以上述喷出时的拍击变小的流速供给第2 处理液后的、在上述基板输送路径中输送的上述基板的基板表 面供给上述第2处理液的步骤,是对在与上述向上倾斜的基板 输送路径连续的向下倾斜的基板输送路径中输送的上述基板执 行的。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的基板处理方法,其特 征在于,
朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向向在上述基 板输送路径中输送的基板的基板表面喷上述第2处理液。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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