[发明专利]厚胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法

权利要求书

1.一种厚胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法，其特征在于：

a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳-基尔霍夫衍射积分方程，利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程，推出了适合SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强计算模型；

b、背面斜入射紫外光的光强计算模型中，综合考虑了背面斜入射紫外光在空气/掩模版、掩模版/SU-8胶界面的反射与折射，以及背面斜入射紫外光在SU-8胶内的衰减等因素，高精度地模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布；

满足以上两个条件的方法即该视为该SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法；

本方法的步骤如下：

a、根据工艺条件，输入掩模孔尺寸左右边界坐标、背面斜入射紫外光在空气中的入射角、斜入紫外光在空气中的波长、空气相对折射率、掩模版材料及其相对折射率、SU-8胶厚度、SU-8胶相对折射率、斜入射紫外光光源的辐射光强值；将需要进行光强分布模拟的SU-8胶区域细分成小正方形网格组成的阵列，并采用二维矩阵来代表这个阵列；

b、根据背面斜入射紫外光在空气中的入射角度、空气的相对折射率、掩模材料及其相对折射率、SU-8胶相对折射率，确定背面斜入射紫外光进入掩模版和SU-8胶时的入射角度；

c、利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理菲涅耳-基尔霍夫衍射积分方程，平移菲涅耳积分上下限，得到不考虑背面斜入射紫外光反射以及斜入射紫外光在SU-8胶内的衰减的光强值计算模型；

d、考虑背面斜入射紫外光在空气/掩模版、掩模版/SU-8胶界面的反射与折射、以及斜入射紫外光在SU-8胶内的衰减，得到SU-8胶内部任意一个网格处的光强值的计算模型；

e、重复利用上面的SU-8胶内部任意一个网格处的光强值的计算模型得到SU-8胶中每一网格处的光强值，最终得到SU-8胶内部斜入射紫外光的光强分布模拟结果。