[发明专利]用于制造数据存储介质的方法

权利要求书

1.一种制造数据存储介质的方法，包括：

在衬底上沉积第一层，所述第一层包括磁性材料和非磁性材料；

沉积第一层之后，加热所述沉积的第一层；

以与第一层相同的方式在所述第一层上沉积第二层，所述第二层包括磁性材 料和非磁性材料；以及

沉积第二层之后，加热所述沉积的第二层和所述沉积的第一层以形成单层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性材料包括FePt、CoPt、 FePd、CoPd、NiPt或AlMn中的至少之一。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非磁性材料包括MgO、C、 SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、BN、SiNx、B₄C中的至少之一。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉积所述第一层以使其具有 范围为0.2nm至5.0nm的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉积所述第二层以使其具有 范围为0.2nm至5.0nm的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括加热所述沉积的第一层至范 围为350℃至750℃的温度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在范围为1.0秒至60.0秒的 时间内加热所述沉积的第一层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括加热所述沉积的第二层和所 述沉积的第一层至范围为350℃至750℃的温度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在范围为1.0秒至60.0秒的 时间内加热所述沉积的第二层和所述沉积的第一层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉积来自含磁性材料和非磁 性材料的复合靶的所述第一层和所述第二层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括通过由含磁性材料的第一靶 和含非磁性材料的第二靶共沉积来沉积所述第一层和所述第二层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括通过沉积来自含磁性材料的 第一靶的磁性层并在所述磁性层上沉积来自含非磁性材料的第二靶的非磁性层来 沉积所述第一层和所述第二层。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括构造所述第一层和所述第二 层以形成磁记录层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，包括在所述磁记录层中的磁性 材料的晶粒具有范围为2.0nm至20.0nm的尺寸。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，包括所述磁记录层具有范围为 1×10⁷尔格／立方厘米至10×10⁷尔格／立方厘米的磁各向异性。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一层和第二层上沉积附加层，所述附加层包括磁性材料和非磁性材 料；以及

沉积附加层之后，加热所述沉积的附加层以及所述沉积的第二层和所述沉积 的第一层。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，包括构造所述第一层、所述第 二层和所述附加层以形成磁记录层。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，包括在所述磁记录层中的磁性 材料的晶粒具有范围为2.0nm至20.0nm的尺寸。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，包括所述磁记录层具有范围为 1×10⁷尔格／立方厘米至10×10⁷尔格／立方厘米的磁各向异性。