[发明专利]层叠陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电容器，尤其是涉及试图提高构成层叠陶瓷电容器所具备的介电陶瓷(dielectric ceramic)层的介电陶瓷的介电常数和电绝缘性的改良。 

背景技术

满足层叠陶瓷电容器的小型化和大容量化要求的有效方法之一是力求使层叠陶瓷电容器所具备的介电陶瓷层薄层化。最近，介电陶瓷层的薄层化进展到厚度不足1μm。 

但是，随着介电陶瓷层的薄层化，电绝缘性的确保变得困难。若介电陶瓷层的内部电极间的结晶粒子的数目少，则绝缘性会下降，因此必须某种程度上减小结晶粒子的粒径。另一方面，若减小结晶粒子的粒径，则介电陶瓷的介电常数会下降。 

因此，在层叠陶瓷电容器的薄层品中，高介电常数和高绝缘性的兼顾是一个大的问题。为了兼顾两者，例如有以下的技术。 

据日本特开2005-243890号公报(专利文献1)记载，介电陶瓷的结晶粒子由粒径较大的第一结晶粒子和粒径较小的第二结晶粒子构成，第一结晶粒子的平均粒径为0.1～0.3μm，第一结晶粒子的粒径是第二结晶粒子的粒径的5倍以上。另外，优选介电陶瓷层的一个观察面的第一结晶粒子的面积比率为71～91％。 

另外，据日本特开2005-33070号公报(专利文献2)记载，介电陶瓷的结晶粒子包括粒径较小的第一结晶粒子和粒径较大的第二结晶粒子，第二结晶粒子的面积比率小于40％。 

关于介电陶瓷层的厚度，上述专利文献1和专利文献2中均为“1.5μm以下”，特别是在专利文献1中，为“1.0μm左右”。但若采用专利文献1和专利文献2的技术，当介电陶瓷层的厚度不足1μm时，无法兼具高介电 常数和高电绝缘性。 

专利文献1：日本特开2005-243890号公报 

专利文献2：日本特开2005-33070号公报 

发明内容

为此，本发明的目的在于提供即使介电陶瓷层的厚度不足1μm也能兼具高介电常数和高电绝缘性的层叠陶瓷电容器。 

本发明涉及一种层叠陶瓷电容器，其具备层叠的多个介电陶瓷层、以及沿介电陶瓷层间的特定界面形成的多个内部电极，介电陶瓷层由下述介电陶瓷构成，所述介电陶瓷以ABO₃(A必须含有Ba，Ba的一部分可以被Ca和Sr中的至少1种取代，B必须含有Ti，Ti的一部分可以被Zr和Hf中的至少1种取代。)所示的钙钛矿型化合物为主成分，含有R(R是选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu以及Y中的至少1种)、M(M是选自Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、W以及V中的至少1种)和Si作为副成分，其特征在于，为了解决上述技术问题，具备如下构成。 

即，将上述介电陶瓷中含有的结晶粒子分为具有比介电陶瓷层的厚度的1/4大的粒径的第一结晶粒子和具有介电陶瓷层的厚度的1/4以下的粒径的第二结晶粒子时，第一结晶粒子和第二结晶粒子分别具有粒度分布的峰，介电陶瓷层的截面上的第一结晶粒子的面积比率为41～69％。 

在上述介电陶瓷的主成分ABO₃中，优选A含有78～100mol％的Ba、0～2mol％的Sr、0～20mol％的Ca，B含有96～100mol％的Ti、0～2mol％的Zr、0～2mol％的Hf。 

另外，关于介电陶瓷的副成分R、M和Si的各浓度而言，优选相对于ABO₃ 100mol，以元素的形式计，分别在0.1～3.0mol、0.2～5mol以及0.1～3.5mol的范围内，且ABO₃中的A/B之比为0.96～1.030。 

根据本发明，即使介电陶瓷层的薄层化进展到厚度不足1μm也能兼具高介电常数和高电绝缘性。因此，能充分满足层叠陶瓷电容器的小型化和大容量化的要求。 

附图说明

图1是图示了本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的剖视图。 

图2是用于说明构成图1所示的层叠陶瓷电容器所具备的介电陶瓷层的介电陶瓷的优选制造方法的图。 

图3是表示实验例中制作的本发明范围内的试样6的介电陶瓷的粒度分布的图。 

图4是表示实验例中制作的本发明范围之外的试样3的介电陶瓷的粒度分布的图。 

(符号说明) 

1      层叠陶瓷电容器 

2      介电陶瓷层