[发明专利]低热阻LED及其封装方法无效
申请号: | 201010120584.8 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN102194963A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 施振浩;蔡铭;吴旭华 | 申请(专利权)人: | 杭州妙影微电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人: | 戴晓翔 |
地址: | 310007 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低热 led 及其 封装 方法 | ||
1.低热阻LED,包括LED芯片(101),与LED芯片(101)配合的热沉(103),其特征在于热沉(103)上镀有真空镀膜(102),该真空镀膜(102)与LED芯片(101)焊接配合。
2.根据权利要求1所述的低热阻LED,其特征在于所述的真空镀膜(102)为真空离子蒸镀膜,或者为真空溅射镀膜,所述真空镀膜(102)的厚度与热沉(103)表面粗糙度成正比关系,真空镀膜(102)与热沉(103)之间无间隙配合。
3.根据权利要求1或2所述的低热阻LED,其特征在于所述的真空镀膜(102)为低熔点金属或者合金。
4.根据权利要求3所述的低热阻LED,其特征在于低熔点的所述真空镀膜(102)为锡或者为铅锡合金。
5.根据权利要求3所述的低热阻LED,其特征在于所述的热沉(103)为高导热热沉。
6.根据权利要求4所述的低热阻LED,其特征在于所述的热沉(103)为高导热热沉。
7.根据权利要求6所述的低热阻LED,其特征在于高导热的所述热沉(103)为铜、或为铝、或为银、或为陶瓷、或为碳基底。
8.根据权利要求1所述的低热阻LED的封装方法,其特征在于将热沉(103)放置到真空镀膜设备中真空镀膜,接着取出镀有真空镀膜的热沉(102),再将LED芯片(101)底座上的焊点与真空镀膜(102)熔融,冷却后LED芯片(101)固定在热沉(103)上。
9.根据权利要求8所述的低热阻LED的封装方法,其特征在于LED芯片(101)底座上的焊点与底座真空镀膜(102)熔融后,在冷却的过程中对LED芯片(103)施加压力。
10.根据权利要求8所述的低热阻LED的封装方法,其特征在于所述真空镀膜(102)的厚度与热沉粗糙度成正比,通过真空镀膜(102)将热沉(103)表面凹坑填平,使热沉(103)与真空镀膜(102)共同形成的表面平整、且热沉与真空镀膜(102)之间无间隙配合。
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