[发明专利]一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010120883.1 申请日: 2010-03-10
公开(公告)号: CN101817559A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 任巍;王玲艳;姚姗姗;史鹏;纪红芬;闫兴伟;陈晓峰;吴小清;姚熹 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C01G33/00 分类号: C01G33/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 惠文轩
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 铌酸钾钠无铅 压电 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及无机材料中铁电/压电厚膜的制备方法,特别涉及一种铌酸钾钠 (K0.5Na0.5NbO3,KNN)无铅压电厚膜的制备方法,该方法基于改性的化学溶液涂 敷工艺。

背景技术

目前对压电材料的生产仍然集中于传统的锆钛酸铅Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基压电 陶瓷,但是PZT基陶瓷中氧化铅的含量超过原料总质量的60%以上。氧化铅是 一种易挥发的有毒物质,给人类及生态环境带来严重的危害,这有悖于人类社 会的可持续发展。

无铅压电材料铌酸钾钠(KNN),由于其优异的压电性能,引起人们的广泛 关注并被认为是PZT基压电材料的替代品。另外,随着电子器件的小型化以及 新的微电子机械(MEMS)创建新型电子器件,压电材料也开始由陶瓷块体材 料向着薄膜材料的方向发展。目前为止所报道的纯KNN薄膜其铁电和压电性能 都普遍比较差,典型的电滞回线只在用脉冲激光沉积(PLD)法和气溶胶沉积(AD) 法制备的KNN薄膜中得到,然而却没有其压电性能的报道。

用化学溶液沉积(CSD)法制备的KNN薄膜因其存在大的漏导而难以得到饱 和极化的电滞回线;并且,在热处理过程中碱金属离子的挥发被公认为是影响 KNN体系铁电性能提高最重要的因素。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法,该方法基 于改性的化学溶液涂敷工艺,其成本低,能够降低结晶温度、抑制碱金属离子 的挥发、降低漏导电流以提高KNN厚膜的电性能。

为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现。

一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制备乙醇铌

按摩尔比NbCl5∶乙醇=1∶(10-20)分别称量无水氯化铌和无水乙醇,先将无 水氯化铌均匀分散于反应溶剂苯中,搅拌均匀后,滴入无水乙醇,再搅拌以促 进其充分反应,然后通入氨气以去除其中引入的多余离子Cl-,将得到的白色沉 淀NH4Cl抽滤,得到的滤液用苯进行洗涤,常压蒸馏除去苯和多余的无水乙醇 后,即得到纯的稳定的乙醇铌;

(2)制备铌酸钾钠前驱体溶液

根据铌酸钾钠K0.5Na0.5NbO3的化学计量比,并考虑到热处理过程中碱金属 离子K+和Na+的挥发,按照摩尔比配方K∶Na∶Nb=(0.525-0.65)∶ (0.525-0.65)∶1.00,分别称取无水乙酸钠、无水乙酸钾、乙醇铌;

再将无水乙酸钠和无水乙酸钾,溶于乙二醇甲醚溶液中,获得澄清透明的 钾、钠混合溶液;再将乙醇铌加入到上述钾、钠混合溶液中搅拌,形成澄清、 透明、均匀的铌酸钾钠溶液,并保证Nb5+浓度为0.5mol/L;

然后将聚乙烯吡咯烷酮PVP按照摩尔比为PVP单体∶Nb5+=(0.5-1.5)∶1的 比例加入到铌酸钾钠溶液中搅拌,得到粘稠的铌酸钾钠前驱体溶液;

(3)制备厚膜

将步骤(2)所得铌酸钾钠前驱体溶液过滤后,在干燥、密封的条件下陈化 24小时;再采用旋转涂敷工艺涂敷在预先清洗干净的基底材料上;然后进行快 速热处理,其中,先在200℃下进行干燥,再在300℃-550℃的温度下热解3 分钟,最后在600℃-750℃的温度下退火5分钟;重复涂敷-热处理过程4-16 次,即得到致密无裂纹的厚度为0.8-5μm的铌酸钾钠无铅压电厚膜。

本发明的进一步改进在于:

在步骤(2)中,获得澄清透明的钾、钠混合溶液后,通过乙酸盐引入一种 掺杂离子Li+、Mn2+、Cu2+或Sr2+,其引入量为Nb5+的1mol%-7mol%,搅拌均匀 后再将乙醇铌加入到上述溶液中,形成澄清、透明、均匀的铌酸钾钠溶液,并 保证Nb5+浓度为0.5mol/L。

本发明与现有技术相比,具有以下优点:

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