[发明专利]发光器件封装有效
申请号: | 201010121337.X | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814569A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 赵范哲 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
相关申请
本申请要求2009年2月23日提交的韩国专利申请10-2009-0014789 的优先权,通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
实施方案涉及一种发光器件封装及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。
LED包括依次相互堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型 半导体层,使得根据对其施加的电压而将有源层所产生的光发出至外部。
发光器件封装可具有其中在硅(Si)基板上设置发光器件的结构。因 为Si基板具有高的热阻,所以散热特性可能较差,因此发光器件的发光特 性也可能劣化。
发明内容
实施方案提供一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。
实施方案还提供一种具有改善的散热特性的发光器件封装及其制造方 法。
在一个实施方案中,发光器件封装包括:基板;在所述基板上的发光 器件;在所述基板和所述发光器件之间的第一散热器,所述第一散热器至 少部分设置在所述基板内以传递由发光器件产生的热;彼此电隔离的第一 电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
在另一实施方案中,发光器件封装包括:包括腔的基板;在所述腔内 的发光器件;在所述发光器件和所述基板之间的第一散热器;和彼此电隔 离的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极电连接至所述发光器 件。
在另一实施方案中,发光器件封装包括:基板;在所述基板上的发光 器件;在所述发光器件下设置的散热器,其间具有基板,所述散热器至少 部分埋于所述基板的下部中;和彼此电隔离的第一电极和第二电极,所述 第一电极和第二电极电连接至所述发光器件。
在附图和以下的描述中将阐述一个或更多个实施方案的细节。其他特 征将由说明书和附图以及由权利要求书而变得明显。
附图说明
图1~5是根据一个实施方案的发光器件和制造该发光器件的方法的 视图。
图6是根据一个实施方案的发光器件的立体图。
具体实施方式
在以下描述中,应理解当层(或者膜)称为在另一层或者基板“上” 时,其可以直接在该另一层或者基板上,或者也可存在中间层。此外,应 理解当层称为在另一层“下”时,其可以直接在该另一层下,也可存在一个 或更多个中间层。现在将详细说明本公开的实施方案,在附图中对其实例 进行说明。在以下描述中,措辞“上”、“上方”、“一个”、“下”和“下方”均 基于附图。
在附图中,对各层的厚度或者尺寸进行放大、省略或者示意地说明, 以便于描述和清楚。而且,各元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
以下,将参考附图详细地描述根据一个实施方案的发光器件封装及其 制造方法。
图1~5是根据一个实施方案的发光器件和制造该发光器件的方法的 视图,图6是根据一个实施方案的发光器件的立体图。
参考图5和6,发光器件封装包括:基板10、设置在基板10上的绝缘 层20、设置在基板10的上部上的第一散热器31、设置在基板10的下部上 的第二散热器32、设置在基板10上并彼此电隔离的第一电极41和第二电 极42、和电连接至所述第一电极41和第二电极42的发光器件50。
基板10可由导电材料或者绝缘材料形成。绝缘层20使基板10电绝缘。 例如,基板10可由为绝缘材料的Si材料形成。绝缘层20可设置在基板 10的表面上以防止电流泄漏。绝缘层20可包括其中由Si材料形成的基板 被氧化的硅氧化物层。
在基板10的上表面中限定第一腔(见图1的附图标记11)。在第一腔 11内限定第二腔(见图1的附图标记12)。将第一散热器31埋入第二腔 12的至少一部分内。
在基板10的下表面中限定第三腔(见图1的附图标记13)。将第二散 热器32埋入第三腔13的至少一部分内。例如,第一散热器31的上表面可 与设置在第一腔11的下表面上的绝缘层20的上表面齐平。第二散热器32 的下表面可与设置在基板10的下表面上的绝缘层20的下表面齐平。
例如,第一散热器31和第二散热器32可由具有优异导热性的铜(Cu) 或者铝(Al)形成,但是不限于此。
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