[发明专利]一种超高压气体绝缘瓷套管

说明书

技术领域

本发明涉及一种套管领域，特别涉及具有单屏蔽层结构的超高压气体绝缘 瓷套管。

背景技术

现有的550kV高压套管，一般移植电容式套管的设计和使用经验，采用两 层同轴圆柱形屏蔽层设计来使套管的内外电场分布合理。现有技术中双层屏蔽 结构的套管结构如图1所示，中间屏蔽层4和接地屏蔽层3通过电容分压方式， 强制性地将中间电位推至套管的中间部位，从而使得套管电场分布均匀。接地 屏蔽层3通过螺栓紧固在套管6的下法兰1上。中间屏蔽层4固定在绝缘支撑 筒2，绝缘支撑筒2紧固在下法兰1上，上均压环8和下均压环7通过焊接在屏 蔽环内侧的四根铝板用螺栓紧固在套管上端，导电管5通过接线板9与架空线 相连。

上述结构的550kV高压套管在装配过程中要考虑将导电管(长度6米)和 屏蔽层平稳地装入瓷套中，同时还要保证导电管和屏蔽层的同轴度，使得装配 工作增加了很大的难度，而一旦套管装配不当，造成屏蔽层即电极上有杂质或 悬浮物，会导致套管电极击穿，给高压套管的安全稳定运行带来极大的隐患。 同时，采用旋压工艺的中间屏蔽层(长度2米)以及绝缘支撑筒都会增加套管 的成本。

综上，现有结构形式的550kV高压套管存在着装配困难大，成本高，套管 的技术经济性不高等缺点。

发明内容

为了解决现有高压套管存在的装配困难，成本高等缺陷，本发明提出一种 超高压气体绝缘瓷套管，包括过渡筒、接地屏蔽层、瓷套、导电管、单均压环 和接线板，其特征在于：所述瓷套的下端连接有过渡筒，所述瓷套内设有接地 屏蔽层，所述接地屏蔽层采用锥形筒结构，所述接地屏蔽层的下部与过渡筒内 部相连接，所述瓷套内设有与其同轴布置的导电管，所述导电管的上端连接有 单均压环和接线板、其下端依次穿过接地屏蔽层及过渡筒。

优选地，所述单均压环采用一个大管径的均压环。

优选地，所述导电管的下端镀银。

优选地，所述接地屏蔽层的上端设有外翻边。

优选地，所述外翻边由六段光滑弧面拼接而成。

优选地，所述接地屏蔽层采用铝材利用旋压工艺制成。

优选地，所述瓷套的下端与过渡筒之间采用槽形密封结构。

优选地，所述接线板的外表面镀锡。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1)本发明所述的超高压套管改变了现有技术中双屏蔽层的结构，而是仅在 套管内部设置接地屏蔽层，这种结构不但节省了价格高的中间屏蔽层和绝缘支 撑件，而且使得整个超高压套管的装配过程变得简单。

2)由于本发明套管中的均压环采用单均压环结构，从而使得套管的无线电 干扰水平大大降低，套管的整体结构更加紧凑。

附图说明

图1是现有技术中550kV高压套管的剖视图；其中，1-下法兰，2-绝缘支撑 筒，3-接地屏蔽层，4-中间屏蔽层，5-导电管，6-套管，7-下均压管，8-上均压 管，9-接线板；

图2是本发明所述超高压套管的剖视图；其中，11-过渡筒，12-接地屏蔽层， 13-瓷套，14-导电管，15-单均压环，16-接线板，17-外翻边。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明所述的超高压套管做进一步详细的描述。

如图2所示，本发明所述超高压气体绝缘瓷套管包括过渡筒11、接地屏蔽 层12、瓷套13、导电管14、单均压环15和接线板16。

瓷套13的下端与过渡筒11之间采用槽形密封结构且通过螺栓相连接，瓷 套13内设有接地屏蔽层12，接地屏蔽层12的下部通过螺栓与过渡筒11的内部 相连接，瓷套13内设有与其同轴布置的导电管14，导电管14可以减少电流集 肤效应的铝管材料。导电管14的上端通过螺栓连接有单均压环15和接线板16， 导电管14的下端依次穿过接地屏蔽层12及过渡筒11。在导电管14的下端头镀 银，以利于大电流的传输。接地屏蔽层12采用上窄下宽的锥形筒结构，锥形筒 结构使得接地屏蔽层12内的电场强度分布均匀，在接地屏蔽层的上端具有由多 段光滑圆弧拼接而成的外翻边17，以采用六段拼接为佳，外翻边17可使套管内 的电场强度分布更均匀。单均压环15采用一个大管径的均压环，大管径的均压 环可使整个套管的无线电干扰性能更加优异。接线板16的外表面最好进行镀锡 处理，可防氧化，提高接线板16的可靠性。