[发明专利]一种利用微透镜列阵成像光刻的装置无效
申请号: | 201010121466.9 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN101794080A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 董小春;张为国;杜春雷;史立芳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;贾玉忠 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 透镜 列阵 成像 光刻 装置 | ||
1.一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:包括曝光光源(1)、散射板(2)、 成像物体(3)、微透镜列阵固定台(4)、微透镜列阵(5)、记录介质基片(6)、精密位 移平台(7)、显微镜(8)、调焦照明光源(10);曝光光源(1)、散射板(2)、成像物 体(3)、微透镜列阵固定台(4)和精密位移平台(7)彼此之间依次相隔一定距离;微透 镜列阵(5)固定在微透镜列阵固定台(4)的光窗内;记录介质基片(6)固定在精密位移 平台(7)的光窗内,记录介质基片(6)距微透镜列阵(5)的距离应等于像距;采用调焦 照明光源(10)照明成像物体(3),微透镜列阵(5)位置始终固定,调整显微镜(8), 当看到物体清晰的像时固定显微镜(8),再利用精密位移平台(7)驱动记录介质基板(6) 上下移动,使得通过显微镜(8)可同时观察到成像物体(3)的像和记录介质基片(6)上 标记(9)的像时,微透镜列阵(5)的像面与记录介质基片(6)已经在同一平面上,然后 将记录介质基片(6)固定,到此调焦过程完成;移开调焦照明光源(10),将曝光光源(1) 移至成像物体(3)正下方相应位置,打开曝光光源(1),曝光光源(1)发出的光通过散 射板(2)照明成像物体(3);成像物体(3)通过微透镜列阵(5)成像在记录介质基片(6) 上,根据记录介质基片(6)的成像结果,曝光显影后便可制备出微纳尺度图形列阵。
2.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻装置,其特征在于:所述曝光 光源(1)为汞灯光源,其中心波长为365nm,功率200W以上。
3.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻装置,其特征在于:所述调焦 照明光源(10)为白炽灯,功率20W以上。
4.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述散 射板(2)为紫外透过率90%以上的材料,形状为方形、圆形或六边形。
5.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述成 像物体(3)为石英材料,表面为黑白图形,尺寸为1平方厘米至100平方厘米,形状为方 形、圆形或六边形。
6.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述微 透镜列阵固定台(4)上开尺寸为1平方厘米至100平方厘米,形状为方形、圆形或六边形 的光窗。
7.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述微 透镜列阵(5)为紫外透过率90%以上的材料,微透镜的口径为0.5微米至500微米,微透镜 列阵子透镜数目为10个至109个,微透镜间隙通过电铸或镀膜工艺镀金属,以减少杂散光对 成像质量的影响。
8.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述记 录介质基片(6)材料为硅、锗、石英、金属,尺寸为1平方厘米至100平方厘米,记录介 质为的正性或负性光刻胶。
9.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述精 密位移平台(7)为三维可连续精密位移的平台,位移分辨率高于280nm,量程大于1mm。
10.根据权利要求1所述的一种利用微透镜列阵成像光刻的装置,其特征在于:所述显 微镜(8)为长工作距物镜,工作距大于20mm。
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