[发明专利]半导体发光器件和包括其的发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件和具有其的发光器件封装。

背景技术

第III-V族氮化物半导体已经广泛应用于光学器件例如蓝色和绿 色发光二极管(LED)、高速开关装置例如金属氧化物半导体场效应晶 体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结场效应晶 体管(HFET)和照明设备或显示设备的光源。

氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)，并且已经连续 进行研究以改善氮化物半导体的制造方法或光效率。

发明内容

实施方案提供一种半导体发光器件，其可防止晶圆变形。

实施方案提供一种半导体发光器件，其包括设置在化合物半导体 层下方的导电支撑构件中的第一缓冲构件。

实施方案提供一种发光器件封装，其包括具有导电支撑构件中的 第一缓冲构件的发光器件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括：包括第一导电 半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；所述 多个化合物半导体层下方的电极层；所述电极层下方的导电支撑构件； 和嵌入所述导电支撑构件中以间隔开的第一缓冲构件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括：包括第一导电 半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；设置 在所述多个化合物半导体层下方且电连接至所述第二导电半导体层的 电极层；电连接至所述第一导电半导体层的电极；所述电极层下方的 导电支撑构件；和布置在所述导电支撑构件中以具有与所述导电支撑 构件的厚度相等或比所述导电支撑构件的厚度小的高度的第一缓冲构 件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件封装，其包括：主体；在 所述主体中的多个引线电极；电连接至所述多个引线电极的发光器件； 和覆盖所述发光器件的模制构件，其中所述发光器件包括：包括第一 导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层； 所述多个化合物半导体层下方的电极层；所述电极层下方的导电支撑 构件；和嵌入所述导电支撑构件中以间隔开的第一缓冲构件。

一个或更多个实施方案的细节在附图和下文的说明中提出。从说 明书和附图及权利要求书中，其他特征将变得明显。

附图说明

图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的侧剖面图。

图2至5是示出根据实施方案的第一缓冲构件的图案的图。

图6至15是示出制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法 的图。

图16是示出根据另一实施方案的半导体发光器件的侧剖面图。

图17是示出根据另一实施方案的半导体发光器件的图。

图18是示出根据另一实施方案的半导体发光器件的图。

图19是示出根据另一实施方案的半导体发光器件的图。

图20是示出根据另一实施方案的发光器件封装的侧剖面图。

具体实施方式

现在将详细描述本公开的实施方案，其实施例在附图中示出。在实施 方案的描述中，可以参考附图描述每层的“上”或“下”，并且每层的厚度 是作为例子描述的，而不限于附图的厚度。

在实施方案的描述中，应理解在层(或膜)、区域、图案或结构称为 在另一衬底、层(或膜)、区域或图案的“上”或“下”时，所述“上”和“下” 包括所有的“直接”和“间接”的含义。而且，对每个层的“上”和“下”都是 参照附图描述的。

图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的侧剖面图。

参照图1，根据一个实施方案的半导体发光器件100包括多个化合物 半导体层135、沟道层140、电极层150、第一缓冲构件160、导电支撑 构件170和电极115。

多个化合物半导体层135由第III-V族元素的化合物半导体形成，并 且包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。

第一导电半导体层110可由其上掺杂有第一导电掺杂剂的N型半导 体形成。N型半导体可由化合物半导体如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、 InAlGaN和AlInN中的任一种构成。作为N型掺杂剂，第一导电掺杂剂 包括Si、Ge、Sn、Se和Te。