[发明专利]发光器件封装和包括其的照明系统有效

专利信息
申请号: 201010121502.1 申请日: 2010-02-20
公开(公告)号: CN101814570A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 宋镛先 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075;H01L25/13;F21S2/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;王春伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 封装 包括 照明 系统
【权利要求书】:

1.一种发光器件封装,包括:

封装体,所述封装体具有上部以及在所述封装体的上表面上的平坦表 面,其中所述上部具有两个倾斜侧表面或具有顶部被截去的金字塔形的倾 斜侧表面;和

在所述封装体的所述倾斜侧表面上的发光器件;

穿过所述封装体的下部的通孔;

在所述封装体上的介电层;

在所述封装体上的所述通孔与所述发光器件之间电连接的金属层,

在各个所述发光器件上的密封材料;和

在所述上部的所述平坦表面上的第二阻挡物,

其中所述金属层在所述介电层上和在所述通孔中,

其中具有所述倾斜侧表面的封装体的下部宽度大于其上部宽度,

其中所述通孔中的所述金属层包括底部通路部分以及上部通路部分, 和

其中所述底部通路部分的横向宽度大于所述上部通路部分的横向宽 度。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述封装体倾斜以使得其 宽度朝向下的方向逐渐增加。

3.根据权利要求1所述的发光器件封装,

其中所述介电层包括氧化硅、氮化硅、AlN和SiC中的一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述发光器件附着于在所述 封装体的所述倾斜侧表面上设置的所述金属层,

其中所述通孔中的所述金属层的横向宽度从所述上部通路部分到所述 底部通路部分逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述金属层包括电连接至所 述发光器件的电极层并且具有单层结构或者多层结构,

其中所述通孔中的所述金属层设置在所述发光器件之下。

6.根据权利要求5所述的发光器件封装,其中当所述金属层具有多层结构 时,所述金属层的顶层包括Al、Ag和APC(Ag+Pd+Cu)中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中所述发光器件附着为围绕所 述封装体的倾斜侧表面。

8.一种照明系统,包括:

包括发光器件封装的发光模块,其中所述发光器件封装为根据权利要 求1~7中任一项所述的发光器件封装。

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