[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201010121577.X | 申请日： | 2010-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101807645A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层的发光结构；
在所述发光结构下的沟道层，其中所述沟道层的内部部分沿所述发光结构的外周部分设置，所述沟道层的外部部分延伸到所述发光结构之外；和
在所述发光结构下的第二电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括选自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、和TiO2的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括形成在所述沟道层的外部部分上的粗糙结构。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括粗糙结构，所述粗糙结构形成在暴露于所述发光结构之外的沟道层的部分上。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第二电极层下的导电支撑构件。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述发光结构上的第一电极。
7.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构从所述沟道层突出至少50nm。
8.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构具有锥形、多边形和凸起形中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括透光导电材料。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括绝缘材料。
11.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构的顶表面比所述有源层的顶表面高。
12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极层包括包含选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合的材料的至少一个层。
13.一种半导体发光器件，包括：
包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层的发光结构；
在所述发光结构下的沟道层，其中所述沟道层的内部部分沿所述发光结构的外周部分设置，所述沟道层的外部部分延伸到所述发光结构之外，和在所述沟道层的顶表面的外部部分上形成粗糙结构；
在所述发光结构上的第一电极；和
在所述发光结构下的第二电极层。
14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括选自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、和TiO2的材料。
15.根据权利要求13所述的半导体发光器件，还包括在所述第二电极层下的导电支撑构件。
16.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构从所述沟道层突出至少50nm。
17.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构具有锥形、多边形和凸起形中的至少一种。
18.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括透光的导电材料或绝缘材料。
19.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述粗糙结构的顶表面比所述有源层的顶表面高。
20.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述第二电极层包括包含选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合的材料的至少一个层。
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