[发明专利]发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件封装，包括：

第一导电型封装体；

在所述封装体上形成的绝缘层；

在所述封装体上设置的多个化合物半导体层；

电连接至所述多个化合物半导体层的电极；

电连接至所述封装体并设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层； 和

电连接至所述电极并设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层，

其中所述绝缘层包括在所述封装体的上表面上形成的第一开口，

其中所述多个化合物半导体层包括导电型缓冲层，和

其中所述多个化合物半导体层的缓冲层通过所述绝缘层的第一开口直 接接触所述封装体的上表面。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述封装体包括硅材料。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件封装，其中所述封装体具有与所 述多个化合物半导体层的缓冲层相同的极性。

4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中所述绝缘层包括在所述封 装体的底表面中的第二开口，并且所述第一金属层通过所述绝缘层的第二 开口接触所述封装体的底表面。

5.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中所述第一金属层通过所述 封装体电连接到所述导电型缓冲层。

6.根据权利要求1所述的发光器件封装，包括在所述封装体上设置的保 护装置，所述保护装置电连接至所述第一金属层和所述第二金属层。

7.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述电极设置在所述多个 化合物半导体层上并且包括连接元件，所述连接元件包括将所述电极连接 至所述第二金属层的导线。

8.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中在所述封装体的底表面下 的所述第一金属层的至少一部分与所述导电型缓冲层垂直交叠。

9.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述保护装置包括：

连接至所述第一金属层的具有与所述封装体相反极性的第一阱；和

在所述第一阱的一部分处连接至所述第二金属层的第二阱，所述第二 阱具有与所述封装体相同的极性。

10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述多个化合物半导体层 包括：

在所述封装体上的第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的有源层；和

在所述有源层上的第二导电型半导体层。

11.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中所述导电型缓冲层包括第 一导电型氮化物半导体材料或者导电氧化物。

12.一种发光器件封装，包括：

在其上部具有腔的第一导电型封装体；

形成在所述封装体上并且包括在所述腔的底表面中的第一开口的绝缘 层；

包括导电型缓冲层的多个化合物半导体层，所述导电型缓冲层通过所 述绝缘层的第一开口接触所述封装体的腔的底表面；

在所述多个化合物半导体层上的电极；

电连接至所述封装体并设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层； 和

电连接至所述电极并设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层。

13.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述封装体包括硅材料， 和所述绝缘层包括硅氧化物、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化铝和氮 化硅中的任何一种。

14.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述封装体包括硅材料， 和所述绝缘层包括硅热氧化物、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化铝和 氮化硅中的任何一种。

15.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述绝缘层包括：

在所述封装体的底表面中的第二开口，并且所述第一金属层通过所述 绝缘层的第二开口接触所述封装体的底表面。