[发明专利]发光器件外延片和发光器件有效
| 申请号： | 201010122250.4 | 申请日： | 2010-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826584A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 竹内隆;今野泰一郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 外延 | ||
1.一种发光器件外延片，其包括：
n-型衬底；
层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；
层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层；以及
层叠在所述发光层上的p-型包覆层；
其中，所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合 物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm；
其中，所述掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层被形 成为从其n-型衬底侧到发光层侧逐渐增加Si浓度，而从所述n-型衬底侧到发 光层侧逐渐降低除Si以外的n-型掺杂剂的浓度。
2.一种发光器件外延片，其包括：
n-型衬底；
层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；
层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层；以及
层叠在所述发光层上的p-型包覆层；
其中，所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合 物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm；
其中，所述掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层的n- 型掺杂剂是Si和Se，并且Se掺杂量相对于Si和Se的掺杂总量不少于20％且 不超过80％。
3.一种发光器件外延片，其包括：
n-型衬底；
层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；
层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层；以及
层叠在所述发光层上的p-型包覆层；
其中，所述n-型包覆层包括掺杂有除Si以外的n-型掺杂剂的n-型第一包 覆层和掺杂Si作为n-型掺杂剂的n-型第二包覆层，并且所述n-型包覆层的总 厚度不小于250nm且不超过750nm；
其中，所述n-型第一包覆层的所述n-型掺杂剂是Se，并且所述Se掺杂的 n-型第一包覆层不小于所述n-型包覆层的总厚度的25％且不超过所述n-型包 覆层的总厚度的80％。
4.一种发光器件外延片，其包括：
n-型衬底；
层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；
层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层；以及
层叠在所述发光层上的p-型包覆层；
其中，所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合 物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm；
其中，具有量子阱结构的所述发光层包括AlGaInP量子阱层，0≤Al混晶 比≤0.35，并且所述量子阱层厚度不小于2.5nm且不超过6.5nm，并且所述 n-型包覆层中的载流子浓度不小于2.5×1017cm-3且不超过7.0×1017cm-3。
5.使用权利要求1-4中任一项所述的发光器件外延片制造的发光器件。
6.一种发光器件外延片，其包括：
n-型衬底；
层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层；
层叠在所述n-型包覆层上的发光层；以及
层叠在所述发光层上的p-型包覆层，
其中，所述n-型包覆层包括含Si的两种以上n-型杂质；
其中，所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型杂质的混合物 的外延层；
其中，所述n-型杂质是Si和Se，并且Se掺杂量相对于Si和Se的掺杂总 量不小于20％且不超过80％。
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