[发明专利]一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种有机单晶晶体管阵列，所述阵列为底栅极底接触结构，自底部朝向上表面依次包括基底的栅极、绝缘层、源漏电极阵列及有机半导体晶体，其特征在于：所述源漏电极阵列表面修饰有诱导晶体生长的石墨烯，有机半导体晶体生长于石墨烯薄膜之上。

2.根据权利要求1所述的一种有机单晶晶体管阵列，其特征在于：所述源漏电极阵列为金属电极，其厚度为40nm，沟道长度可选包括10μm～100μm。

3.根据权利要求1所述的一种有机单晶晶体管阵列，其特征在于：所述有机半导体晶体的生长原料至少包括并五苯、红荧烯、C60。

4.一种有机单晶晶体管阵列的制备方法，其特征在于包括步骤：

I、选用掺杂的硅片作为基底的栅极，并在栅极上部制备硅的氧化绝缘层，得到底片；

II、通过光刻在底片上制备源漏电极阵列；

III、制备与源漏电极阵列相吻合的聚二甲基硅氧烷阵列，再将石墨烯涂布到该聚二甲基硅氧烷阵列上并风干；

IV、通过将两阵列压合，去除聚二甲基硅氧烷阵列，将石墨烯遮覆于源漏电极阵列之上；

V、对步骤IV所得晶体管表面通过物理气相传输方法蒸镀有机半导体材料，调控生长工艺参数，制备得到有机单晶晶体管阵列。

5.根据权利要求4所述的一种有机单晶晶体管阵列的制备方法，其特征在于：步骤III中涂布的石墨烯浓度范围为0.1-1M。