[发明专利]接触焊盘下方的MIM去耦电容器

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

芯片，具有外部接触焊盘；

一个或多个去耦金属绝缘体金属(MIM)电容器，直接在所述外部接触焊盘下方。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个去耦MIM电容器形成在最上面的金属层间电介质层中，

其中，所述一个或多个去耦MIM电容器被设置成交错图样。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个去耦MIM电容器包括一个或多个虚拟MIM电容器和一个或多个有效MIM电容器，

其中，沿着所述一个或多个有效MIM电容器的图样的外部边缘定位所述一个或多个虚拟MIM电容器的行。

4.一种集成电路结构，包括：

衬底；

多个电介质层，形成在所述衬底之上；

一个或多个有效金属绝缘体金属(MIM)电容器，形成在所述多个电介质层中，所述一个或多个有效MIM电容器的第一极板电耦合至V_ss或V_dd中的一个，所述一个或多个有效MIM电容器的第二极板电耦合至V_ss和V_dd中的另一个；以及

外部接触焊盘，形成在所述一个或多个有效MIM电容器上方。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，还包括在所述外部接触焊盘下方的一个或多个虚拟MIM电容器，所述一个或多个虚拟MIM电容器的第一极板和第二极板中的至少一个不电耦合至V_ss或V_dd，

其中，所述一个或多个虚拟MIM电容器至少包括沿着所述一个或多个有效MIM电容器的外围排列的虚拟MIM电容器的行。

6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个有效MIM电容器形成在第一金属化层的下方。

7.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个有效MIM电容器的上电极形成在最上面的金属化层中，

其中，所述一个或多个有效MIM电容器在所述外部接触焊盘下面排列成交错行。

8.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底之上形成多个电介质层；

形成一个或多个金属化层，每个金属化层均形成在所述多个电介质层中的相邻电介质层之间；

在所述多个电介质层中的至少一个中形成多个有效去耦电容器，所述多个有效去耦电容器中的每一个均为金属绝缘体金属(MIM)电容器；以及

在所述多个有效去耦电容器之上直接形成外部接触焊盘。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个有效去耦电容器中的每一个均具有电耦合至V_dd和V_ss中的一个的上极板和电耦合至V_dd和V_ss中的另一个的下极板，

所述方法还包括：在所述外部接触焊盘下面形成多个虚拟去耦电容器，所述多个虚拟去耦电容器中的每一个均被电隔离。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个有效去耦电容器形成在所述一个或多个金属化层的第一金属化层下方。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个有效去耦电容器形成在最上面的金属层间电介质(IMD)层中。