[发明专利]HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器

权利要求书

1.一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：

一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb 缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb 发射区以及GaSb盖层；

一上电极，采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面，该上电极的中 间开有一光的入射口；

一下电极，采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。

2.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中所述的GaSb收集区为n掺杂，厚度为1.5um。

3.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中所述的所述的InAs/GaSb超晶格基区是由交替生长的不少于300个周 期1微米的InAs层/GaSb层组成；其中每层GaSb厚度为3nm，每层InAs 厚度由探测波长决定。

4.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中所述的AlGaAsSb基区为p掺杂，厚度为0.3um。

5.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中所述的AlGaAsSb发射区为n掺杂，厚度为0.5um。

6.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中上电极为钛金合金材料。

7.如权利要求1所述的HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器， 其中下电极为钛金合金材料。