[发明专利]光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法有效
| 申请号： | 201010123603.2 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102193304A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;张斌;邓泽希;张立国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模版 使用 述光掩 测试 方法 | ||
1.一种光掩模版，其特征在于，所述光掩模版包括第一掩模结构和第二掩模结构，所述第一掩模结构用于形成电路图形，所述第二掩模结构用于形成测试图形；所述第二掩模结构中的图形类型涵盖第一掩模结构中图形的所有图形类型。
2.如权利要求1所述光掩模版，其特征在于，电路图形特征尺寸为90nm，所述第二掩模结构的面积小于或等于16μm×16μm。
3.如权利要求1所述光掩模版，其特征在于，电路图形特征尺寸为45nm，所述第二掩模结构的面积小于或等于8μm×8μm。
4.如权利要求1所述光掩模版，其特征在于，电路图形特征尺寸为30nm，所述第二掩模结构的面积小于或等于4μm×4μm。
5.如权利要求1所述光掩模版，其特征在于，所述第二掩模结构位于第一掩模结构之间。
6.如权利要求5所述光掩模版，其特征在于，所述第二掩模结构位于对角线相邻的第一掩模结构之间。
7.如权利要求5所述光掩模版，其特征在于，所述第二掩模结构位于行相邻或列相邻的第一掩模结构之间。
8.一种使用权利要求1所述光掩模版的测试方法，包括：
提供光掩模版，所述光掩模版包括用于形成电路图形的第一掩模结构和用于形成测试图形的第二掩模结构，所述第二掩模结构中的图形类型涵盖第一掩模结构中图形的所有图形类型；
将光掩模版上的所述第一掩模结构和所述第二掩模结构转移到硅晶圆上，在硅晶圆上形成电路图形和测试图形；
检查硅晶圆上的测试图形。
9.如权利要求8所述的测试方法，所述检查硅晶圆上的测试图形通过扫描电子显微镜完成。
10.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述测试图形是接触孔，所述检查硅晶圆上的测试图形的步骤包括：检查硅晶圆上形成的接触孔的直径、孔间距和对称性。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
