[发明专利]金属层下介电层测试结构有效
| 申请号： | 201010123607.0 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102194795A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胡其欣;杨莉娟;何莲群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 层下介电层 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属层下介电层测试结构，包括：衬底，位于所述衬底之上的栅极结构，位于所述衬底和所述栅极结构之上的多级金属连线层，位于所述多级金属连线层间的互连通孔和层间介电层，以及位于顶层金属层之上的压焊点，其特征在于，所述多级金属连线层间的互连通孔未实现各金属互连线层间的电性互连。
2.如权利要求1所述的金属层下介电层测试结构，其特征在于，所述衬底内具有有源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010123607.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
