[发明专利]分立栅快闪存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底以及依次位于半导体衬底上的栅氧化层、第一多晶硅层和 阻挡层，在所述的阻挡层上形成开口；

刻蚀开口内的第一多晶硅层，使第一多晶硅层表面呈弧形；

在阻挡层、所述开口内侧壁及第一多晶硅层上形成栅间介质层；

在栅间介质层上形成第二多晶硅层，且第二多晶硅层填充满开口；

刻蚀第二多晶硅层，保留开口内的预定厚度的第二多晶硅层；

在开口侧壁的第二多晶硅层上形成第一侧壁层；

以所述阻挡层和第一侧壁层为掩膜，刻蚀第二多晶硅层，形成控制栅；

在开口内的控制栅侧壁形成第二侧壁层；

以阻挡层、第一侧壁层和第二侧壁层为掩膜，刻蚀栅间介质层和第一多晶 硅层至露出栅氧化层；

在开口内的第一侧壁层、第二侧壁层、栅间介质层、第一多晶硅层侧壁形 成第三侧壁层；

在开口内填充满传导层，作为字线；

刻蚀去除阻挡层及其下方的第一多晶硅层和栅氧化层，所述刻蚀后的第一 多晶硅层作为浮栅，其中第一侧壁层、第二侧壁层、第三侧壁层、控制栅、栅 间介质层、浮栅构成分立结构单元；

在分立结构单元外侧形成侧墙。

2.根据权利要求1所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，刻蚀 第一多晶硅层使表面呈弧形的工艺为各向同性的干法刻蚀法。

3.根据权利要求1所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述 浮栅以及控制栅的材料为多晶硅。

4.根据权利要求3所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，形成 浮栅以及控制栅的方法为化学气相沉积法或低压等离子体化学气相沉积或等离 子体增强化学气相沉积工艺。

5.根据权利要求1所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述 栅氧化层和栅间介质层的材料为氧化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅组合。

6.根据权利要求5所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，形成 栅氧化层和栅间介质层的工艺为化学气相沉积法或低压化学气相沉积法。

7.根据权利要求1所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述 第一侧壁层、第二侧壁层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述分立栅快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述 第三侧壁层的材料为含硅的氧化物。