[发明专利]半导体器件栅氧化层完整性的测试结构有效
| 申请号： | 201010123712.4 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101800212A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化 完整性 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，其特征在于，包括：
有源区；
所述多个浅槽隔离为正方形块状，设置于所述有源区中；
所述多个栅极结构平行间隔的覆盖于所述浅槽隔离上，所述浅槽隔离的宽 度小于所述栅极结构的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，其特征 在于，所述栅极结构包括：栅极及栅氧化层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，其特征 在于，所述栅极为多晶硅或金属栅。
4.根据权利要求2所述的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，其特征 在于，所述栅氧化层为氧化层，氮化层或高介电常数材料层。
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