[发明专利]光电倍增管

说明书

技术领域

本发明涉及检测来自外部的入射光的光电倍增管。

背景技术

一直以来，利用了微细加工技术的小型光电倍增管的开发不断取 得进展。已知的有，例如在透光性的绝缘基板上配置有光电面、倍增 极以及阳极的平面型光电倍增管(参照下述专利文献1)。利用这样的 结构，可以高可靠性地检测出微弱光，并且也可以实现装置的小型化。

然而，在如上所述的现有的光电倍增管中，各级倍增极被配置在 由绝缘基板以及罩(cap)部件构成的箱体的绝缘基板上，随着通过各 级倍增极的二次电子面之间而轨道有所扩大的倍增电子会易于入射到 箱体的绝缘基板。在为了实现微细化而使箱体小型化的情况下，这种 趋势尤为显著。因此，存在箱体带电而导致耐受电压(withstand voltage) 降低的情况。

专利文献1：美国专利第5264693号的说明书

发明内容

因此，本发明正是鉴于上述问题，其目的在于提供一种光电倍增 管，可以防止电子向倍增极之间的箱体的绝缘部分入射，从而改善耐 受电压。

为了解决上述问题，本发明的光电倍增管的特征在于，具备：彼 此相对地配置且各自的相对面由绝缘材料构成的第1以及第2基板； 与第1以及第2基板共同构成箱体的侧壁部；多级电子倍增部，该多 级电子倍增部从第1基板的相对面上的一端侧向另一端侧依次间隔地 排列，且各自具有在与该相对面交叉的方向上延伸的二次电子面；光 电面，该光电面被配置于一端侧且与电子倍增部相间隔，将来自外部 的入射光变换为光电子并释放光电子；以及阳极部，该阳极部被配置 于另一端侧且与电子倍增部相间隔，将被电子倍增部倍增的电子作为 信号取出，第2基板的相对面被形成为覆盖多个电子倍增部，在该相 对面上，在与多个电子倍增部的每一个相对的部位上，沿着相对面设 置有多个导电部件，该多个导电部件彼此电独立并且被设定为与各自 相对的电子倍增部等电位。

根据这样的光电倍增管，入射光入射到光电面而被变换为光电子， 该光电子依次入射到第1基板的相对面上的多级电子倍增部而被倍增， 被倍增了的电子作为电信号而从阳极部被取出。此时，在与第1基板 相对的第2基板的相对面上，在与多极电子倍增部的每一个相对的部 位上，与各自相对的电子倍增部等电位的导电部件被设置为多个且彼 此电独立，因此，能够防止通过多级电子倍增部的级间的电子向第2 基板的相对面入射。由此，能够防止由基板表面的带电所导致的耐受 电压的降低。

优选多个导电部件分别被形成为：与相对的电子倍增部的另一端 侧的端部相比，其另一端侧的端部更向另一端侧突出。在这种情况下， 能够更加可靠地防止通过电子倍增部的级间的电子向第2基板的相对 面入射。

此外，优选多个导电部件分别被形成为：与相对的电子倍增部的 一端侧的端部相比，其一端侧的端部更靠近另一端侧。采用这样的结 构，能够通过确保邻接的导电部件间的距离从而抑制导电部件间的漏 电流，从而可以提高耐受电压。

此外，还优选多个导电部件被连接于设置在第2基板上的多个给 电部，多个电子倍增部通过电连接于各自相对的导电部件，从而从多 个给电部被给电。在这种情况下，经由导电部件而向电子倍增部给电， 从而可以使将导电部件设定为与电子倍增部等电位的情况下的结构简 单。

附图说明

图1为本发明的一个优选实施方式所涉及的光电倍增管的立体图。

图2为图1的光电倍增管的分解立体图。

图3为表示从图1的光电倍增管的上侧框架侧看到的内部结构的 部分截断立体图。

图4为表示从图1的光电倍增管的下侧框架侧看到的内部结构的 部分截断立体图。

图5为在图3的电子倍增部以及下侧框架上安装有上侧框架的状 态下沿V-V线的部分放大截面图。

图6为从上侧框架侧看到的图3的聚焦电极以及电子倍增部的透 视图。

图7为表示图5的导电膜的变形例的部分放大截面图。

图8为表示图5的导电膜的变形例的部分放大截面图。

图9为表示图5的电子倍增部、下侧框架以及上侧框架的比较例 的部分放大截面图。

具体实施方式