[发明专利]蒸发源装置

说明书

【技术领域】

本发明有关于一种线型之双蒸发源装置，特别是关于一种可在大面积的基板制作时，提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率的坩锅结构。

【背景技术】

蒸镀制程(evaporation process)在半导体组件制作、液晶显示器组件制作或太阳能电池组件制作过程中受到了广泛的使用，为了将制作过程中所使用的蒸镀材料均匀涂布于基板，现有技术中是将基板设置于坩锅的开口上方，再借由加热坩锅使得放置于其内的蒸镀材料蒸发，通过开口而均匀地附着在于基板上，达成均匀涂布的效果。

然当基板尺寸越来越大时，其所蒸镀薄膜的均匀度便是极大的挑战，如何在大型基板上制作厚度均匀的高质量镀膜，一直是当前蒸镀制程量产时所面临最大的挑战。

为因应大面积量产的需求，大面积薄膜蒸镀早期是从传统的点蒸发源为基础来进行改良，所延伸出的改良有：改变点蒸发源气体容器开口的形状、增加点蒸发源的数目、以及改变点蒸发源的排列方式等方法。但这些改良应用在小面积及少量生产时，单点或多点蒸发源的蒸镀方式也许可提供较均匀的镀膜，但其缺陷在于当拟进行大面积镀膜且须大量生产时，仍会遭遇如膜厚不均或蒸镀材料利用率低等种种限制。

故为因应大面积镀膜与大量生产，在现有技术中更进一步地将蒸镀源由点蒸发源改进为线蒸发源。线蒸发源是以扫描方式进行蒸镀，线蒸发源适合大面积式的生产，但其膜厚均匀性仍不佳，且其蒸镀材料利用率仍偏低。

【发明内容】

鉴于所指出的各种缺陷，为因应大面积且大量生产制程的需求，本发明提出一种线型的蒸发源装置，较佳地适用在大面积的基板制作，能够显著的提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率。

根据上述构想，本发明提出一种蒸发源装置。该蒸发源装置包含坩锅及喷嘴盖体，坩锅具有一第一容置空间及第二容置空间系容纳不同或相同的蒸镀材料，借由辐射加热源加热坩锅使蒸镀材料的分子蒸发，坩锅配置成上方开口的筒状结构，筒状结构为圆形、长方形或方形。喷嘴盖体设置于坩锅的上方，具有一斜孔喷嘴及一直孔喷嘴，斜孔喷嘴及直孔喷嘴连接于该坩锅，喷嘴盖体具有嵌合部，可供该坩锅一端筒壁嵌入结合喷嘴盖体，斜孔喷嘴与喷嘴盖体的中心线形成一夹角。

承接上述，本发明提供一种蒸发源装置，其包含：

一坩锅，其中容纳有一蒸镀材料；以及

一喷嘴盖体，卡固于该坩锅的开口处，具有一斜孔喷嘴以及一直孔喷嘴，该斜孔喷嘴及该直孔喷嘴分别连接于该坩锅。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该坩锅为一筒状结构，该筒状结构为圆形或方形，该喷嘴盖体具有一嵌槽，该坩锅的该开口处的筒壁可嵌合入该嵌槽，该斜孔喷嘴的中心线与该喷嘴盖体的中心线之间具有一夹角。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该夹角为3～40度角，该夹角为5～20度角，该夹角为8～15度角。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该直孔喷嘴的中心线平行于该喷嘴盖体的中心线。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该斜孔喷嘴的轴线与该直孔喷嘴的轴线相交。

本发明还提供一种蒸发源装置，其包含：

一坩锅，具有一第一容置空间及第二容置空间；以及

一喷嘴盖体，设置于该坩锅的开口处，具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴，该等斜孔喷嘴及该等直斜孔喷嘴分别连接于该一第一容置空间及该第二容置空间。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该一第一容置空间及该第二容置空间分别容纳有第一蒸发材料及第二蒸发材料。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该坩锅为一筒状结构，且该筒状结构为长方形，或狭长形。

本发明还提供一种蒸发源装置，其包含：

一坩锅，具有一第一容置空间及第二容置空间；以及

一喷嘴盖体，具有一嵌合部，该喷嘴盖体经由该嵌合部而与该坩锅的一开口卡固连接，该喷嘴盖体并具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴。

所述的蒸发源装置，其特征在于：该嵌合部更包含一阶梯状的套接段，该嵌合部更包含一凹设的嵌槽。

由上述可知，本发明的蒸发源装置，可适用在大面积的基板制作，能够显著的提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率。

【附图说明】

图1是显示本发明的蒸发源装置的坩锅剖面图；

图2是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图；

图3是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图；

图4是显示图3的A-A’线的剖面图；

图5是显示图3的A-A’线的剖面图；

图6是显示本发明第二实施例的双蒸发源装置的喷嘴部剖面图；