[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010124461.1 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194749A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/311;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 互补 金属 氧化物 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：
a：提供第一器件和与所述第一器件类型相反的第二器件，所述第一器件具有第一栅极，所述第二器件具有第二栅极，所述第一器件和第二器件的上方形成有第一氧化层，所述第一氧化层的上方形成有高应力层；
b：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第二器件上方的所述高应力层；
c：进行退火工艺；
d：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第一器件上方的所述高应力层；
e：在所述第二器件上方形成掩模层；
f：刻蚀所述第一器件上方的所述氧化层，使所述第一器件上方的所述第一氧化层的顶部与所述第二器件上方的剩余的所述第一氧化层的顶部平齐，然后去除所述掩模层。
2.如权利要求1所述的方法，还包括下列步骤：
g：在剩余的所述第一氧化层的上方沉积第二氧化层；
h：刻蚀所述第一栅极和所述第二栅极上的第二氧化层以及所述剩余的所述第一氧化层，露出所述第一栅极和所述第二栅极；
i：在所述第一栅极和所述第二栅极上形成金属层；
j：去除剩下所有的所述第一氧化层和所述第二氧化层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀第一器件上方的所述氧化层的方法为回蚀方法。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一氧化层的厚度为125～145埃。
5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述形成第一氧化层的厚度为130埃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成高应力层的厚度为450～550埃。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述形成高应力层的厚度为500埃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件选自NMOS器件或PMOS器件。
9.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
10.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
