[发明专利]一种形成通孔的方法有效
| 申请号： | 201010124583.0 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194735A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 | ||
1.一种形成通孔的方法，包括：
提供前端器件层；
在所述前端器件层的表面沉积刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层的表面形成层间介质层；
在所述层间介质层的表面形成硬掩膜层；
在所述硬掩膜层的表面形成抗反射层；
在所述抗反射层的表面形成光刻胶层；
采用曝光显影工艺，形成具有开口图案的光刻胶层；
对所述具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理；
以所述具有开口图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述硬掩膜层和所述层间介质层，直到刻蚀到所述刻蚀停止层为止。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗反射层是底部抗反射层或者包括形成于所述硬掩膜层上的第一底部抗反射层、形成于所述第一底部抗反射层上面的低温氧化层以及形成于所述低温氧化层上面的第二底部抗反射层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子放电处理为先采用N2和H2的混合气体进行放电处理再单独采用N2进行放电处理。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合气体中N2的流速为10～100sccm，H2的流速为50～200sccm，放电功率为200～1000W，放电时间为10～25秒。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述单独采用的N2的流速为20～100sccm，放电功率为200～500W，放电时间为10～25秒。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体放电处理采用氧气进行放电处理。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述等离子放电处理采用氧气的流速为10～100sccm，放电功率为200～500W，放电时间为10～30秒。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层采用氧气进行刻蚀。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层采用的氧气的流速为10～25sccm。
10.一种具有包含如权利要求1所述的方法形成的通孔的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频器件。
11.一种具有包含如权利要求1所述的方法形成的通孔的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
