[发明专利]导电薄膜的制备方法及其产品有效
申请号: | 201010124677.8 | 申请日: | 2010-03-06 |
公开(公告)号: | CN102194541A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 黄志豪 | 申请(专利权)人: | 富港电子(东莞)有限公司;正崴精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
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地址: | 523455 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 薄膜 制备 方法 及其 产品 | ||
技术领域
本发明涉及一种导电薄膜技术,尤其涉及一种导电薄膜的制备方法及其产品。
背景技术
随着触控屏幕等应用的市场渗透率逐渐提升,开始大量应用于手机及计算机屏幕,透明导电薄膜的需求也开始进入爆炸性的增长。现有使用最多的导电薄膜是以ITO导电玻璃为主的ITO导电薄膜,近来产品的应用逐渐开始出现可挠曲性及弯折的需求,此时以玻璃材料为基底的ITO导电薄膜便无法适用。
现有的导电薄膜的制备方法是于PET或PI高分子薄膜上涂布金属导电墨水(Conductive Ink),成膜后的导电薄膜不但拥有绝佳的导电率而且也满足可绕屈及可弯折的需求。
然而,上述金属导电墨水所使用的金属材料皆是有色非透明的,涂布后将会影响导电薄膜的透光度。此外,金属材料价钱昂贵,在相同涂布面积下,现有的导电薄膜的制备方法在维持导电薄膜良好的导电度情况下并不能有效减少金属材料的使用量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可降低生产成本及提高透光度的导电薄膜的制备方法及其产品。
为实现上述目的,本发明所提供导电薄膜的制备方法包括如下步骤:
A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物,得到含硅的反应物;
B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合,并均匀搅拌12h以上,得到半成品涂料;
C)将占总质量3~50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌,得到涂料成品;
D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上,于温度为70~250℃的条件下加热5~60min,从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。
本发明一种导电薄膜,采用上述所提供之导电薄膜的制备方法制成。
如上所述,本发明导电薄膜的制备方法所制得的导电薄膜由于具有连续性孔洞,能够在维持导电度的情况下,提高透光度,同时在相同涂布面积下,也能降低导电材料的使用量,达到降低生产成本的目的。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式详予说明。
本发明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:
A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物,得到含硅的反应物;
B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合,并均匀搅拌12h以上,得到半成品涂料;
C)将占总质量3~50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌,得到涂料成品;其中,导电材料粒径不大于1000μm,导电材料为银、铜、奈米碳管、石墨、导电碳黑、导电金属氧化物、导电高分子中的一种或多种;
D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上,于温度为70~250℃的条件下加热5~60min,从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜;其中,孔洞大小范围为100-5000μm,涂布方式可为旋转涂布、浸泡涂布或喷雾涂布,成膜基材为塑料基材或玻璃基材,塑料基材的材料为PC、ABS、PMMA、PPO、PET、PA、SEBS、TPU、PVC及PI中的一种。
本发明一种导电薄膜,采用上述所提供之导电薄膜的制备方法制成。
以下给出本发明的导电薄膜的制备方法的两种实施例。
实施例一,其步骤如下:
A)首先按莫尔份量1∶1∶1比例分别取反应物正硅酸乙酯0.1mol(20.83g)、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0.1mol(24.84g)、乙烯基三乙氧基硅烷0.1mol(19.03g),得到含硅的反应物;
B)将步骤A)中含硅的反应物与作为溶剂的水0.6mol(10.8g)及99%酒精0.6mol(27.6g)混合,并于室温下均匀搅拌24h,得到半成品涂料;
C)将占总质量30%的粒径大小为50~200nm的导电银粒子加入到半成品涂料中均匀搅拌,得到涂料成品;
D)将步骤C)的涂料以浸泡涂布方式涂布于PC基材表面,于温度为120℃的条件下加热10min,在PC基材表面形成孔洞大小范围为500~2000μm的连续性孔洞导电薄膜。
实施例二,其步骤如下:
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