[发明专利]固态图像捕获装置、制造该装置的方法以及图像捕获设备

权利要求书

1.一种固态图像捕获装置，其在半导体基底中包括：

光电转换部分，对入射光执行光电转换以获得信号电荷；

像素晶体管部分，将所述光电转换部分中产生的所述信号电荷输出；

外围电路部分，形成在包括所述光电转换部分和所述像素晶体管部分的像素部分的外围；以及

隔离区域，形成为将所述光电转换部分、所述像素晶体管部分和所述外围电路部分彼此电气分离；

其中，所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域每个具有形成为高于所述半导体基底的表面的绝缘部分；并且

其中，所述像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在所述绝缘部分之间并且形成在所述半导体基底上使得在两者之间夹置栅绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的固态图像捕获装置，其中，所述外围电路部分的晶体管的第二栅电极的至少一端形成在分离所述外围电路部分的所述隔离区域上。

3.根据权利要求2所述的固态图像捕获装置，其中，形成在所述隔离区域上的所述第二栅电极的一部分形成为接触部分。

4.根据权利要求1所述的固态图像捕获装置，其中，所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域距所述半导体基底的表面的高度高于所述外围电路部分外围的所述隔离区域距所述半导体基底的表面的高度。

5.一种制造固态图像捕获装置的方法，包括以下步骤：

形成隔离区域，其将形成在半导体基底上的光电转换部分、像素晶体管部分和外围电路部分彼此电气分离，并且所述隔离区域每个具有高于所述半导体基底的表面形成的绝缘部分；

在形成所述半导体基底的所述像素晶体管部分的区域中形成栅绝缘膜；

形成第一栅电极形成膜以覆盖所述半导体基底的整个表面；

通过移除所述第一栅电极形成膜来暴露所述隔离区域的所述绝缘部分的表面，使得在形成所述像素晶体管部分的区域中保留所述第一栅电极形成膜；

使用所述第一栅电极形成膜在所述像素晶体管部分中形成第一栅电极，并且移除所述光电转换部分和所述外围电路部分上的所述第一栅电极形成膜；

形成覆盖所述第一栅电极的刻蚀防护膜；

形成第二栅电极形成膜以覆盖所述半导体基底的整个表面；并且

在其中覆盖有所述刻蚀防护膜的所述第一栅电极保留的状态下，使用所述第二栅电极形成膜形成所述外围电路部分的晶体管的第二栅电极。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述隔离区域的所述绝缘部分形成为高于所述第一栅电极；

其中，在形成所述第一栅电极形成膜时，所述第一栅电极形成膜的厚度形成为比所述第一栅电极的理想厚度更厚；

其中，在将所述隔离区域的所述绝缘部分的表面暴露的过程中，所述第一栅电极形成膜和所述绝缘部分一起的厚度形成为薄达所述第一栅电极的理想厚度。

7.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域距所述半导体基底的表面的高度形成为高于所述外围电路部分外围的所述隔离区域距所述半导体基底的表面的高度。

8.一种图像捕获设备，包括：

光线会聚光学单元，其会聚入射光线；

图像捕获单元，其包括固态图像捕获装置，所述固态图像捕获装置接收由所述光线会聚光学单元会聚的光线并执行光电转换；以及

信号处理单元，其处理经历光电转换的信号；

其中，所述固态图像捕获装置在半导体基底中包括：

光电转换部分，对入射光执行光电转换以获得信号电荷；

像素晶体管部分，将所述光电转换部分中产生的所述信号电荷输出；

外围电路部分，形成在包括所述光电转换部分和所述像素晶体管部分的像素部分的外围；以及

隔离区域，形成为将所述光电转换部分、所述像素晶体管部分和所述外围电路部分彼此电气分离；

其中，所述像素晶体管部分外围的所述隔离区域每个具有形成为高于所述半导体基底的表面的绝缘部分；并且

其中，所述像素晶体管部分的晶体管的第一栅电极形成在所述绝缘部分之间并且形成在所述半导体基底上使得在两者之间夹置栅绝缘膜。