[发明专利]多波长半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201010125911.9 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101924323A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 大仓裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 半导体激光器 装置 | ||
1.一种多波长半导体激光器装置，其特征在于，具有：
块；以及
振荡波长不同的多个激光二极管，
在所述块中在规定的方向上形成有具有底面和2个侧面的、剖面为コ字型的槽，
所述激光二极管以该激光二极管发出的激光的射出方向沿着所述规定方向的方式配置在所述槽的所述底面上和所述侧面上。
2.根据权利要求1所述的多波长半导体激光器装置，其特征在于，所述剖面为コ字型的槽的剖面形状朝向开口方向而扩展。
3.一种多波长半导体激光器装置，其特征在于，具有：
块；以及
振荡波长不同的多个激光二极管，
在所述块中在规定的方向上形成有具有2个侧面的、剖面为V字型的槽，
所述激光二极管以该激光二极管发出的激光的射出方向沿着所述规定方向的方式配置在所述槽的两侧面上。
4.一种多波长半导体激光器装置，其特征在于，具有：
块；以及
振荡波长不同的多个激光二极管，
在所述块中形成有矩形形状的突起部，
所述激光二极管配置在所述突起部的上表面上和侧面上。
5.一种多波长半导体激光器装置，其特征在于，具有：
块；以及
振荡波长不同的多个激光二极管，
在所述块中形成有平面和该平面上的突起部，
所述激光二极管配置在所述平面上和所述突起部的侧面上。
6.根据权利要求5所述的多波长半导体激光器装置，其特征在于，在所述平面上配置有2个激光二极管。
7.根据权利要求5所述的多波长半导体激光器装置，其特征在于，在所述突起部的所述侧面上配置有2个激光二极管。
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