[发明专利]激光设备、激光显示装置、激光照射装置和非线性光学元件无效
申请号: | 201010126224.9 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN102263374A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 木村馨;古川昭夫;冈美智雄 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;H01S5/00;H01S5/06;H04N9/31;G02F1/35 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光设备 激光 显示装置 照射 装置 非线性 光学 元件 | ||
1.一种激光设备,其包括:
基波生成部分,其被配置为生成具有至少在其一个集合中与彼此不同的波长的多个基波,所述基波生成部分具有半导体激光器和布拉格反射结构,所述半导体激光器具有多个发光点;以及
非线性光学元件,其中沿所述多个基波的传播方向变化地形成分别适于从所述基波生成部分发射的所述多个基波的波长的伪相位匹配的极化结构。
2.根据权利要求1的激光设备,其中所述极化结构具有以下结构:其中极化周期、极化占空比或极化初始相位中的至少任一个沿所述多个基波各自的传播方向改变。
3.根据权利要求1的激光设备,其中所述极化结构包括以下结构:其中多个极化区域被沿激光束的传播方向与彼此耦合;以及
所述多个极化区域具有各自恒定的极化周期,并且所述周期在其至少一个集合中与彼此不同。
4.根据权利要求1的激光设备,其中线性地排列所述半导体激光器的所述多个发光点;
所述布拉格反射结构包括周期性结构,其中反射波长沿所述发光点的排列方向改变;以及
所述极化结构包括周期性结构,其中周期沿所述半导体激光器的所述多个发光点的排列方向改变。
5.根据权利要求1的激光设备,其中所述极化结构为以下结构:其中基于伪相位匹配执行波长转换的波长波段包含全部多个基波的波长波段。
6.根据权利要求1的激光设备,其中所述布拉格反射结构为以下结构:其中对所述多个基波的反射率比对谐波的反射率高,并且对所述谐波的透射率比对所述多个基波的透射率高。
7.根据权利要求6的激光设备,其中在所述半导体激光器和所述布拉格反射结构之间排列所述非线性光学元件,并且所述非线性光学元件包括波长选择膜,在所述波长选择膜中,对所述多个基波的透射率比对谐波的透射率高,并且对所述谐波的反射率比对所述多个基波的反射率高。
8.根据权利要求1的激光设备,其中在所述非线性光学元件的一部分中形成所述布拉格反射结构。
9.根据权利要求8的激光设备,其中,将所述布拉格反射结构形成为基于电光效应来调制折射率的电极。
10.根据权利要求8的激光设备,其中,在组成所述非线性光学元件的所述布拉格反射结构的区域中提供包括具有满足布拉格反射条件的多个周期的电极结构的电极部分。
11.一种激光设备,其包括
半导体激光器,其具有纵向多模;
非线性光学元件,其中沿基波的传播方向形成被配置为通过伪相位匹配将从所述半导体激光器发射的、具有波长宽度的基波转换为谐波的不同的极化结构;
入射部分,其被配置为透射基波,在所述非线性光学元件中使激光束从所述半导体激光器入射的位置中提供所述入射部分;以及
一种结构,其中对所述基波的反射率比对所述谐波的反射率高,并且对所述谐波的透射率比对所述基波的透射率高。
12.根据权利要求11的激光设备,其中通过由所述其中对所述基波的反射率比对所述谐波的反射率高、并且对所述谐波的透射率比对所述基波的透射率高的结构倾斜地反射所述基波,所述非线性光学元件具有两个或更多的不同的基波传播路径、以及两个或更多的不同的谐波发射路径。
13.根据权利要求12的激光设备,其中所述非线性光学元件包括极化区域,其中所述极化结构沿基波的入射方向、并且沿与所述入射方向近似垂直的元件宽度方向改变,并且沿相应的基波的传播路径,对分别具有不同的波长的基波进行波长转换。
14.根据权利要求12的激光设备,其中所述非线性光学元件具有通过对所述基波的单向限制而获得的波导结构。
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