[发明专利]一种测量磁化率各向异性的方法无效
| 申请号： | 201010126280.2 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101788654A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 任忠鸣;任树洋;任维丽;操光辉;邓康;钟云波;雷作胜 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01R33/16 | 分类号： | G01R33/16 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 磁化率 各向异性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种测量磁化率各向异性的方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：
a.利用超导强磁场下真空蒸发沉积薄膜装置，在室温(300K)下，将欲镀膜的基片放置于装置内的工作台上，基片在平行和垂直磁场方向都有放置，将预测量的物质蒸发，按固定的蒸发速率，蒸发相同时间，两个方向的基片上分别沉积该物质的薄膜；分别在1～12T磁场下逐点沉积12次薄膜，可根据实际情况增加沉积的磁场测量点；
b.对a步骤沉积的薄膜进行X射线衍射分析(XRD)，找到薄膜发生取向改变的磁场强度B；
c.利用扫描电子显微镜(SEM)高倍显微镜分别对磁场强度B下制备的薄膜进行显微观察，计算单个晶粒的平均体积；
d.利用薄膜在强磁场中的取向原理计算易磁化轴磁化率χ‖和垂直于易磁化轴磁化率χ⊥，即可测量出磁化率各向异性。
2.如权利要求所述的一种测量磁化率各向异性的方法，其中，易磁化轴磁化率χ‖和垂直于易磁化轴磁化率χ⊥在300K时满足式中，V是薄膜的晶粒体积；B是磁场强度；μ0是真空磁导率。
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