[发明专利]光电转换装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010126706.4 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101807617A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴屋真之;坂井智嗣;佐竹宏次 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电转换装置，具有基板和设在该基板上的光电转换层，其特征在于，
所述光电转换层具有：向半导体中添加了p型杂质的p层；向半导体中添加了n型杂质的n层；以及设于所述p层和n层之间的主要具有微结晶锗硅的i层，
所述p层和所述n层中作为靠近基板一侧的层的基板侧杂质添加层在拉曼分光测定光谱中的结晶相的峰值强度Ic相对非结晶相的峰值强度Ia的比值即拉曼峰值比Ic/Ia在2以上。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
所述基板侧杂质添加层与所述i层之间具有缓冲层，该缓冲层主要具有微结晶硅或者微结晶锗硅。
3.根据权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，
所述缓冲层中的锗浓度比所述i层中的锗浓度低。
4.一种在基板上形成光电转换层的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
所述光电转换层的形成包括顺序或反序形成以下层的工序：向半导体中添加了p型杂质的p层；主要具有微结晶锗硅的i层；以及向半导体中添加了n型杂质的n层，
在形成所述p层和所述n层中作为靠近基板一侧的层的基板侧杂质添加层的工序中，该基板侧杂质添加层在拉曼分光测定光谱中的结晶相的峰值强度Ic相对非结晶相的峰值强度Ia的比值即拉曼峰值比Ic/Ia在2以上。
5.一种在基板上形成光电转换层的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
所述光电转换层的形成包括顺序或反序形成以下层的工序：向半导体中添加了p型杂质的p层；主要具有微结晶锗硅的i层；以及向半导体中添加了n型杂质的n层，
在形成所述p层和所述n层中作为靠近基板一侧的层的基板侧杂质添加层的工序中，基于预先取得的拉曼分光测定光谱中的结晶相的峰值强度Ic相对非结晶相的峰值强度Ia的比值即拉曼峰值比Ic/Ia为2以上的条件，形成该基板侧杂质添加层。
6.根据权利要求4或者权利要求5所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述基板侧杂质添加层的工序与形成所述i层的工序之间具有形成缓冲层的工序，该缓冲层主要具有微结晶硅或者微结晶锗硅。
7.根据权利要求6所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层中的锗浓度为比所述i层中的锗浓度低的浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
