[发明专利]使用等离子体处理的部件形成方法

权利要求书

1.一种方法，所述方法包含：

(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；

(b)加热所述未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒；和

(c)对所述未聚结的含银纳米颗粒或所述聚结的含银纳米颗粒，或者对所述未聚结的含银纳米颗粒和所述聚结的含银纳米颗粒二者进行等离子体处理，其中在步骤(c)之前，所述部件表现出低导电性，但在步骤(b)和(c)之后，所述部件的导电性提高至少约100倍，其中步骤(c)在加热之前、或在加热过程中、或在加热之后的一个或多个中进行。

2.权利要求1的方法，其中所述加热进行约2秒至约20分钟的时间段。

3.权利要求1的方法，其中所述加热进行少于约5分钟。

4.权利要求1的方法，其中所述加热在低于约150℃的温度进行。

5.权利要求1的方法，其中所述加热在低于约120℃的温度进行。

6.权利要求1的方法，其中步骤(c)使所述部件的导电性提高至少约1000倍。

7.权利要求1的方法，其中所述等离子体处理在从室温至约60摄氏度的温度进行约1秒至约2分钟的时间段。

8.权利要求1的方法，其中步骤(c)使所述部件的导电性提高至少约5000倍。

9.权利要求1的方法，其中所述未聚结的含银纳米颗粒包括在所述未聚结的含银纳米颗粒表面上的一种有机胺稳定剂分子。

10.权利要求1的方法，其中所述含银纳米颗粒是老化的含银纳米颗粒。

11.权利要求1的方法，其中所述含银纳米颗粒是新鲜的含银纳米颗粒。

12.权利要求1的方法，其中所述等离子体处理是一种空气、氮气或氩等离子体处理。

13.一种方法，所述方法包含：

(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；

(b)加热所述未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒，其中包含所述聚结的含银纳米颗粒的部件表现出低导电性；和

(c)将所述聚结的含银纳米颗粒进行一种等离子体处理以使所述部件的导电性提高至少约1000倍。

14.权利要求13的方法，其中所述加热进行少于约5分钟。

15.权利要求13的方法，其中所述加热在低于约120℃的温度进行。

16.权利要求13的方法，其中步骤(c)使所述部件的导电性提高至少约3000倍。

17.权利要求13的方法，其中所述未聚结的含银纳米颗粒包括在所述未聚结的含银纳米颗粒表面上的一种有机胺稳定剂分子。

18.权利要求13的方法，其中所述含银纳米颗粒是老化的含银纳米颗粒。

19.权利要求13的方法，其中所述含银纳米颗粒是新鲜的含银纳米颗粒。

20.权利要求13的方法，其中所述等离子体处理是一种空气等离子体处理。

21.一种方法，所述方法包含：

(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；

(b)将所述未聚结的含银纳米颗粒进行一种等离子体处理；

(c)加热所述经等离子体处理的、未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒，其中包含所述聚结的含银纳米颗粒的部件表现出比不进行步骤(b)时高约1000倍的导电性。

22.一种由含银纳米颗粒形成一种传导性部件的方法，该方法使用比常规方法中使用的加热温度低的加热温度，但所述部件的传导性与常规方法中获得的传导性相同或比其更高，该方法包括：

(a)形成一种包含未聚结的含银纳米颗粒的部件；

(b)在比常规方法中使用的加热温度低至少约10摄氏度的加热温度加热所述未聚结的含银纳米颗粒以形成聚结的含银纳米颗粒；和

(c)对所述未聚结的含银纳米颗粒或所述聚结的含银纳米颗粒，或者对所述未聚结的含银纳米颗粒和所述聚结的含银纳米颗粒二者进行等离子体处理。