[发明专利]碳纳米管阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列结构，其特征在于：该碳纳米管阵列结构包括：

一耐弯曲的面状柔性基底，该柔性基底具有至少一表面；及

至少一碳纳米管阵列生长于该柔性基底的至少一表面。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底的材料的耐热温度大于等于500℃。

3.如权利要求2所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底为金属片，该金属片的厚度小于等于3毫米。

4.如权利要求3所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，该金属片的材料为钼、钛、锆、铌、钽、铪、钨、钒或上述材料任意组合的合金，或不锈钢。

5.如权利要求2所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底为石英片、硅片或陶瓷片，该石英片、硅片或陶瓷片的厚度小于等于0.3毫米。

6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底弯曲成平面形状、筒形形状、螺旋形状或”Z”字型形状。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底的至少一表面进一步设置有一催化剂层，所述碳纳米管阵列形成于该柔性基底表面的催化剂层。

8.如权利要求7所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底为金属片，所述柔性基底的至少一表面进一步设置有一阻隔层，所述阻隔层设置于所述柔性基底与催化剂层之间，该阻隔层的厚度小于等于100微米。

9.如权利要求8所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述阻隔层的材料为硅、氮化硅、氧化硅或金属氧化物。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿垂直于所述柔性基底的至少一表面方向生长。

11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列结构，其特征在于，所述柔性基底具有两个相对设置的表面，所述碳纳米管阵列分别生长于该柔性基底两个相对的表面。

12.一种碳纳米管阵列结构的制备方法，其包括以下步骤：

提供一反应室及一弯曲成预定形状的面状柔性基底，该柔性基底具有至少一表面，且所述柔性基底的至少一表面上形成有一催化剂层；

将该柔性基底设置在该反应室内；

加热所述柔性基底至一预定温度；及

向所述反应室内通入一碳源气体，在所述柔性基底形成有催化剂层的至少一表面生长一碳纳米管阵列。

13.如权利要求12所述的碳纳米管阵列结构的制备方法，其特征在于，所述预定形状包括筒形形状、螺旋形状或”Z”字型形状。

14.如权利要求12所述的碳纳米管阵列结构的制备方法，其特征在于，所述弯曲成预定形状的面状柔性基底具有一通孔，将所述柔性基底设置在反应室内时，所述柔性基底的通孔沿该反应室的轴线方向放置。

15.如权利要求14所述的碳纳米管阵列结构的制备方法，其特征在于，进一步包括提供一加热装置，将该加热装置设置在所述柔性基底的通孔内加热该柔性基底的步骤。

16.如权利要求12所述的碳纳米管阵列结构的制备方法，其特征在于，在所述柔性基底的至少一表面上形成一催化剂层之前，进一步包括在所述至少一表面上形成一阻隔层的步骤。

17.如权利要求12所述的碳纳米管阵列结构的制备方法，其特征在于，在生长形成碳纳米管阵列之后，进一步包括将该柔性基底从所述反应室中取出并展开成平面形状的步骤。