[发明专利]化合物半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体的封装结构，包含：

一底座；

一反射杯设置于所述底座上表面形成一容置区；

至少一化合物半导体芯片设置于所述容置区；

至少一导线架设置于所述底座上表面与所述反射杯的间以及延伸至所述底座的下表面；

一封胶填充于所述容置区并覆盖所述至少一化合物半导体芯片；

其特征在于：化合物半导体的封装结构更包含所述底座四面侧壁向内倾且邻接底座下表面而形成一四方锥形。

2.根据权利要求1所述化合物半导体封装结构，其特征在于：所述底座的下表面和四面侧壁间的一者的夹角所界定的第一内倾角的角度，其大于95°。

3.根据权利要求1所述化合物半导体封装结构，其特征在于：所述底座的与所述第一内倾角相对的一第二内倾角的角度为大于95°，且其它二相对的内倾角度亦大于95°。

4.一种化合物半导体封装结构的制造方法，包含：

提供一模具具有四方锥形第一模穴及一自所述第一模穴的一侧延伸的环形第二模穴，其中所述第一模穴含有一注入口；

放置多片金属片位于所述第一模穴与所述第二模穴的间，其中所述多片金属片的间有一间隔距离并且所述多片金属片至少有一端延伸出所述模具；

由所述注入口注入塑料填充所述第一模穴及所述第二模穴；

冷却所述模具，所述填充于第一模穴中的塑料形成一底座，所述填充于第一模穴中的塑料形成一反射杯，所述反射杯于所述底座一侧围设一容置区；

打开所述模具并且顶出所述底座及反射杯的一体成型结构；

弯折所述多片金属片的延伸端贴附于该底座下表面以形成一导线架；

固定至少一化合物半导体芯片于所述容置区；

填充一封胶于所述容置区以及覆盖所述至少一化合物半导体芯片。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体封装结构的制造方法，其特征在于：更包含所述模具的预热温度与所述塑料的熔融温度相似。

6.根据权利要求4所述的化合物半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述塑料为聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚邻苯二甲酰胺酯(Polyphthalamide，PPA)、聚对苯二甲酸丁二醇(Polybutylene Terephthalte，PB T)或聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate，PMMA)。

7.根据权利要求4所述的化合物半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述塑料中添加氧化镁、氢氧化镁或二氧化钛。

8.根据权利要求4所述的化合物半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述底座的一第一内倾角的角度为大于95°，该第一内倾角为底座相对该反射杯的表面和该底座四侧壁的一者间的夹角。

9.根据权利要求4所述的化合物半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述底座的与所述第一内倾角相对的一第二内倾角的角度为大于95°，且其它二相对的内倾角度亦大于95°。