[发明专利]电阻存储器装置无效
申请号: | 201010127277.2 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN101794863A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C11/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 王松 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 存储器 装置 | ||
1.一种电阻存储器装置,其特征在于:所述装置包含一对电极,电极对之间是存储材料;
存储材料由两种以上的固体混合而成,其中至少有一固体具备相变能力,至少有一固体不具备相变能力;
所述存储器装置在电信号的作用下能够实现器件在高、低电阻之间的转换。
2.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
在器件的编程过程中,所述存储器装置的存储材料中不具备相变能力的固体晶体结构不变。
3.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
两种以上的固体混合时,具备相变能力的固体被不具备相变能力的固体分散或者包覆。
4.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
两种以上的固体混合时,不具备相变能力的固体被具备相变能力的固体分散或者包覆。
5.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
两种以上的固体混合时,不具备相变能力的固体与不具备相变能力的固体互相分散。
6.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
两种以上的固体混合的结构为多层结构。
7.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
电极包含一层以上的导电材料。
8.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:在电信号的作用下,器件在高、低电阻之间可以可逆转换。
9.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
所述具备相变能力的固体在电信号的作用下能够实现晶体结构和电阻的转变。
10.根据权利要求1所述的电阻存储器装置,其特征在于:
所述存储材料内还包括一种及一种以上的相变材料,或者/并且还包括一种及一种以上的非相变材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010127277.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:活塞油孔加工装置
- 下一篇:含格列本脲的中西药组合物