[发明专利]自适应基极电流补偿曲率校正的带隙基准源

权利要求书

1.一种带隙基准电压源电路结构，包括：

带隙基准核心电路中，三极管具有相同的或成比例的电流密度是稳定基准电压输出的 基本要素，利用自适应的电流补偿技术，避免三极管“发射极-基极”电流分流作用的影 响，能够有效提高带隙基准电路的温度稳定性；具体的电路形式包括带隙基准核心电路、 第一自适应基极电流补偿电路(1)和第二自适应基极电流补偿电路(2)三个组成部分；带 隙基准核心电路由PMOS管MP₀、MP₁、MP₂组成的电流镜、运算放大器OP、三极管Q₀、Q₁和Q₂，以及电阻R₀和R₁组成，其中三极管Q₀和Q₂的结构相同，且发射结面积与三极管Q₁的发射结面积呈比例关系，三个PMOS管MP₀、MP₁、MP₂的源极均接电源，栅极均连接运算 放大器OP的输出，三个三极管Q₀、Q₁、Q₂的基极和集电极均接地，PMOS管MP₀的漏极连 接三极管Q₀的发射极和运算放大器OP的反相输入端，PMOS管MP₁的漏极连接电阻R₀的一 端和运算放大器OP的同相输入端，电阻R₀的另一端连接到三极管Q₁的发射极，PMOS管 MP₂的漏极连接到电阻R₁的一端，并作为基准电压的输出端口，电阻R₁的另一端连接到三 极管Q₂的发射极；第一自适应基极电流补偿电路(1)，由PMOS管MP₄、MP₅、MP₆组成的电 流镜、NMOS管MN₀、MN₁、MN₂、MN₃组成的电流镜、PMOS管MP₃和三极管Q₃组成，其中三极 管Q₃具有与Q₁相同的结构，四个PMOS管MP₃、MP₄、MP₅和MP₆的源极均接电源，PMOS管 MP₄的栅极、漏极短接并连接到PMOS管MP₅的栅极、MP₆的栅极和NMOS管MN₁的漏极，PMOS 管MP₃的漏极连接三极管Q₃的发射极、NMOS管MN₁的栅极、MN₃的栅极和PMOS管MP₅的漏 极，PMOS管MP₃的栅极连接运算放大器OP的输出，三极管Q₃的基极连接NMOS管MN₀的栅 极、MN₂的栅极和MN₃的漏极，三极管Q₃的集电极接地，NMOS管MN₀的漏极连接NMOS管MN₁的源极，NMOS管MN₂的漏极连接NMOS管MN₃的源极，PMOS管MP₆的漏极连接三极管Q₁的 发射极，NMOS管MN₀的源极、MN₂的源极接地；第二自适应基极电流补偿电路(2)，由PMOS 管MP₈、MP₉、MP₁₀、MP₁₁组成的电流镜、NMOS管MN₄、MN₅、MN₆、MN₇组成的电流镜、PMOS管 MP₇和三极管Q₄组成，其中三极管Q₄具有与Q₀、Q₂相同的结构，五个PMOS管MP₇、MP₈、MP₉、 MP₁₀、MP₁₁的源极均接电源，PMOS管MP₈的栅极、漏极短接并连接到PMOS管MP₉的栅极、 MP₁₀的栅极、MP₁₁的栅极和NMOS管MN₅的漏极，PMOS管MP₇的漏极连接三极管Q₄的发射极、 NMOS管MN₅的栅极、MN₇的栅极和PMOS管MP₉的漏极，PMOS管MP₇的栅极连接运算放大器 OP的输出端，三极管Q₄的基极连接NMOS管MN₄的栅极、MN₆的栅极和MN₇的漏极，三极管 Q₄的集电极接地，NMOS管MN₄的漏极连接NMOS管MN₅的源极，NMOS管MN₆的漏极连接NMOS 管MN₇的源极，NMOS管MN₄的源极、MN₆的源极均接地，PMOS管MP₁₀的漏极连接三极管Q₀的发射极，PMOS管MP₁₁的漏极连接三极管Q₂的发射极，其中所有的PMOS管具有相同的宽 长。