[发明专利]一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件有效
| 申请号： | 201010128023.2 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194869A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄德涛;刘文;王思浩;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 性能 增强 超陡倒 掺杂 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1018cm-3，重掺杂区的上界面距离沟道表面30～40纳米，下界面在源漏PN结上下20纳米的区域内。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述重掺杂区的下界面距离沟道表面60～100纳米。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述重掺杂区与相邻区域之间的界面处的掺杂浓度过渡为突变结。
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