[发明专利]一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件及制备方法

权利要求书

1.一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。

2.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述源区或者漏区的掺杂浓度与所述掺杂层界面的掺杂浓度变化为突变。

3.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述掺杂层的厚度为10～40纳米。

4.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述掺杂层的形成方法为：第一次对源区或漏区进行离子注入掺杂，对于NMOS而言注入施主杂质，对于PMOS而言注入受主杂质；第二次对源区或漏区进行离子注入掺杂，注入杂质类型与第一次相反。

5.一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件制备方法，其步骤包括：

1)准备两片单晶硅，一片作为有源区硅层，一片作为衬底硅片，所述衬底硅片上使用热氧化工艺生成埋氧化层；

2)采用硅片键合工艺将第一步制作的有源区硅层与具有埋氧化层的硅衬底制作在一起，之后对于顶层的硅膜减薄；

3)使用源漏掩膜版阻挡器件沟道区部分，使用离子注入工艺使沟道两端形成源区及漏区；

4)采用同样的离子注入工艺，使用与步骤3)相反类型的杂质离子，注入源区或漏区，使源区或漏区与埋氧层接触处形成掺杂薄层；

5)进行沟道部分掺杂，使用源漏掩膜版定义栅氧化层的长度，在沟道部分之上制作栅氧化层；

6)在栅氧化层上淀积多晶硅栅，之后生成隔离氧化层实现多晶硅栅与源区、漏区之间的隔离；

7)后续进行SOI器件常规加工程序，制作完毕。

6.如权利要求5所述的SOI器件制备方法，其特征在于，所述步骤4)注入浓度为1.2×10²⁰cm^-3～1.5×10²⁰cm^-3。