[发明专利]反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器

权利要求书

1.一种反应器，用以在至少一基板上形成一薄膜，其特征在于，包含：

一第一热库；以及

一第二热库，该第一热库与该第二热库面对面相对设置，以形成一反应区，两个热库相对的内侧面具有一夹角，且该第一热库的温度与该第二热库的温度可独立控制，其中该第一热库用以放置该至少一基板，且该至少一基板位于该第一热库与该第二热库之间，并在该第一热库上的该至少一基板形成一薄膜。

2.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库之间的夹角可调整。

3.根据权利要求2所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库之间的最小间距为数微米至300毫米。

4.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库温度控制是利用接触式加热方式或非接触式加热方式进行温度控制。

5.根据权利要求4所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库温度控制还包含利用冷却方式进行温度控制，其中该冷却方式是利用液冷或气冷方式。

6.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库温度控制是利用热阻丝电热加热、高频感应加热、紫外光灯管加热、可见光灯管加热或远红外线灯管加热。

7.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该基板是选自于玻璃基板、氮化镓基板、氧化铝基板、碳化硅基板、砷化镓基板、磷化铟基板以及硅基板所构成的群组。

8.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该些薄膜是由周期表中的IA、IIA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA及VIIIA族元素所组成的单一元素薄膜或二元以上的薄膜。

9.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该些薄膜亦可掺杂P型、N型或同价电性元素。

10.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，至少一该基板可被驱动旋转。

11.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，还包含多个第一热库与多个第二热库，其中这些第一热库与这些第二热库均各自独立控制温度。

12.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，还包含一进气结构，以将这些反应物输入该反应器。

13.根据权利要求12所述的反应器，其特征在于，这些反应物是通过该第一热库与该第二热库之间的间距进入该反应区。

14.根据权利要求12所述的反应器，其特征在于，该第一热库与该第二热库的至少其中之一，还包含至少一气体通道形成于其中，以使至少部份或全部的这些反应物通过该至少一气体通道进入该反应区。

15.根据权利要求14所述的反应器，其特征在于，该至少一气体通道是多个气体通道，以使该至少部份的这些反应物彼此分开地进入该反应区。

16.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，还包含保护板结构放置于该第一热库与该第二热库，以避免这些反应物与该第一热库以及该第二热库接触。

17.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该第二热库的温度高于该第一热库的温度。

18.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该反应器是一化学气相沉积反应器。

19.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，该反应器是一有机金属化学气相沉积反应器。