[发明专利]利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法

权利要求书

1.一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：

步骤1：选取一个衬底；

步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；

步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；

步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，完成p型金属极性宽禁带半导体的制备。

2.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中衬底是蓝宝石、碳化硅、硅或GaN衬底。

3.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中极性宽禁带半导体化合物是沿(0001)极性面生长的。

4.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中极性宽禁带半导体化合物的材料是AlGaN、AlInGaN、ZnMgO或者ZnCdO。

5.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中在衬底上生长低温成核层、在低温成核层上生长低温缓冲层和在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，是采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法、原子层沉积法、溶液法、液相传输法、金属有机物气相沉积法、分子束外延法或氢化物气相外延法。

6.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中极性宽禁带半导体化合物的生长温度为700-1500℃。

7.根据权利要求1所述的利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其中极性宽禁带半导体化合物的组分必须是渐变的，沿生长方向(0001)轴线性降低。