[发明专利]固态摄像装置的制造方法

权利要求书

1.一种固态摄像装置的制造方法，该固态摄像装置在半导体基板上具有：光电转换部，对入射光进行光电转换并输出信号电荷；像素晶体管部，经由浮动扩散部输入从上述光电转换部读出的信号电荷并在放大后输出；以及逻辑电路部，对从上述像素晶体管部输出的信号电荷进行处理，上述制造方法包括以下步骤：

在上述半导体基板上形成覆盖经由第1栅绝缘膜形成的上述逻辑电路部的晶体管的第1栅电极、经由第2栅绝缘膜形成的上述像素晶体管部的第2栅电极、上述浮动扩散部和上述光电转换部的第1绝缘膜后，在掩蔽上述光电转换部、上述像素晶体管部和上述浮动扩散部的状态下，对上述第1绝缘膜进行回蚀，从而在上述第1栅电极的侧壁上形成偏移间隔层。

2.如权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中，上述第1绝缘膜由氧化硅膜或氮化硅膜形成。

3.如权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中，上述第1绝缘膜通过化学气相成长法或原子层沉积法形成。

4.如权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，还包括以下步骤：

在形成上述偏移间隔层的步骤之后，在上述第1栅电极的两侧的上述半导体基板中形成延伸区域。

5.如权利要求4所述的固态摄像装置的制造方法，还包括以下步骤：

在形成上述延伸区域之后，在上述第2栅电极的两侧的上述半导体基板中形成LDD区域。

6.如权利要求5所述的固态摄像装置的制造方法，还包括以下步骤：

在形成上述LDD区域之后，

形成覆盖上述第1栅电极和上述第2栅电极的第2绝缘膜；以及

在掩蔽上述光电转换部的状态下对上述第2绝缘膜进行回蚀，从而在上述第1栅电极的侧壁和上述第2栅电极的侧壁上形成侧壁绝缘膜。

7.如权利要求6所述的固态摄像装置的制造方法，还包括以下步骤：

在形成上述侧壁绝缘膜之后，

在上述第1栅电极的两侧的上述半导体基板中，经由上述延伸区域形成第1源-漏区域；以及

在上述第2栅电极的两侧的上述半导体基板中，经由上述LDD区域形成第2源-漏区域。

8.如权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中，

上述第1晶体管由NMOS晶体管和PMOS晶体管形成，在形成上述NMOS晶体管的第1栅电极和上述PMOS晶体管的第1栅电极之后、在形成上述偏移间隔层之前，

进行在上述NMOS晶体管的第1栅电极的两侧的上述半导体基板上形成NMOS晶体管的延伸区域的步骤，

然后进行形成上述偏移间隔层的步骤，

然后进行在上述PMOS晶体管的第1栅电极的两侧的上述半导体基板上形成PMOS晶体管的延伸区域的步骤。