[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器；

在所述处理容器的内部相互对置、并在其间形成处理空间的第一 电极和第二电极；和

与所述第一电极和第二电极中的至少一个连接、向所述处理容器 内输出高频电力的高频电源，

其中，所述第一电极和第二电极中的上部电极包含：

由金属形成的基材；

在所述基材的等离子体侧的中央部设置的板状的第一电介质；和

设置在所述第一电介质和等离子体之间、由金属形成为规定图案 的第一电阻体，

所述第一电阻体包含多个电阻体，

通过所述第一电介质的电容和所述多个电阻体的电阻值，使所述 上部电极的中央部分的电场强度降低。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电阻体埋设于第二电介质，该第二电介质与所述第一电 介质的等离子体侧的面紧贴地设置。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电阻体的薄层电阻值为20Ω/□～2000Ω/□范围内的 值。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电阻体具有隔开规定间隔的多个环状部件或隔开规定间 隔的多个岛状部件，

所述规定间隔被设定为该间隔的阻抗1/Cω大于所述第一电阻体 的电阻R。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在 于：

在所述第一电介质和等离子体之间还具有金属的第二电阻体。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电阻体和所述第二电阻体的薄层电阻值的总和为20Ω/ □～2000Ω/□范围内的值。

7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在被隔开的第一电阻体之间嵌入有比所述第一电阻体的厚度薄的 第三电阻体。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

向所述第一电极和第二电极中的任一个供给13MHz～100MHz范 围内的等离子体生成用的高频电力。

9.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述第一电阻体的被隔开的部分贯通气体供给管。

10.一种等离子体处理装置用的电极，所述等离子体处理装置通过 被施加的高频电力由气体生成等离子体，使用所生成的等离子体对被 处理体进行等离子体处理，其特征在于：

所述电极为相互对置并在其间形成等离子体处理空间的第一电极 和第二电极中的上部电极，且包括：

由金属形成的基材；

在所述基材的等离子体侧的中央部设置的板状的第一电介质；和

设置在所述第一电介质和等离子体之间、由金属形成为规定图案 的第一电阻体，

所述第一电阻体包含多个电阻体，

通过所述第一电介质的电容和所述多个电阻体的电阻值，使所述 上部电极的中央部分的电场强度降低。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置用的电极，其特征在 于：

还包括设置在所述第一电介质和等离子体之间、一体形成的第二 电阻体。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置用的电极，其特征在 于：

所述等离子体处理装置用的电极为下部电极，

所述第二电阻体为设置于所述下部电极的静电卡盘。

13.一种等离子体处理装置用的电极，所述等离子体处理装置通过 被施加的高频电力由气体生成等离子体，使用所生成的等离子体对被 处理体进行等离子体处理，其特征在于：

所述电极为相互对置并在其间形成等离子体处理空间的上部电极 和下部电极中的上部电极，且包括：

由金属形成的基材；

在所述基材的等离子体侧的中央部设置的板状的第一电介质；和

设置在所述第一电介质和等离子体之间、由金属形成的第一电阻 体，

所述第一电阻体包含多个电阻体，

通过所述第一电介质的电容和所述多个电阻体的电阻值，使所述 上部电极的中央部分的电场强度降低。