[发明专利]显示单元有效
申请号: | 201010129080.2 | 申请日: | 2010-03-08 |
公开(公告)号: | CN101834199A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 种田贵之;山本哲郎;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵飞;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 单元 | ||
技术领域
本发明涉及一种包括有机EL(电发光)装置的显示单元。
背景技术
最近几年,在显示图像的显示单元领域中,已经研制出包括发射光可以根据流动电流值改变的电流驱动型光学装置(诸如有机EL装置)作为像素的光发射装置的显示单元,并且这种显示单元被商业化制造(例如,见日本未审查专利申请公开No.2008-083272)。
有机EL装置是与液晶装置等不同的自发光装置。因此,包括有机EL装置的显示单元(有机EL显示单元)不需要光源(背光)。因此,在有机EL显示单元中,与需要光源的液晶显示单元相比,图像可见度较高,电耗较低并且装置响应速度较高。
有机EL显示单元中的驱动系统同液晶显示单元一样包括简单(无源)矩阵系统和有源矩阵系统。前一个系统具有难于实现较大和较高清晰度的显示单元的缺点,虽然其结构比较简单。因此,目前已经积极研发有源矩阵系统。在这样的系统中,流经为每个像素设置的发光装置的电流由为每个发光装置(一般为TFT(薄膜晶体管))所设置的驱动电路中的有源装置控制。
图15图示一般有机EL显示单元的示意性构造。图15中所示的显示单元100包括其中以矩阵状态布置的多个像素120的显示部分110以及用于驱动每个像素120的驱动部分(水平驱动电路130、写入扫描电路140以及功率源扫描电路150)。
每个像素120由红色用像素120R、绿色用像素120G以及蓝色用像素120B组成。如图16和17所示,像素120R、120G和120B由有机EL装置121(有机EL装置121R、121G和121B)以及连接到其的像素电路122组成。图16图示像素120R、120G和120B的电路构造。图17图示像素120R、120G和120B的布局。
像素电路122由取样用晶体管Tws、保持电容Cs以及驱动用晶体管TDr组成,并且具有2Tr1C的电路构造。从写入扫描电路140引出的栅极线WSL沿行方向延伸,并且通过触点126A连接到晶体管Tws的栅极123A。从功率源扫描电路150引出的漏极线DSL也沿行方向延伸,并且通过引出配线128A连接到晶体管TDr的漏极124C。此外,从水平驱动电路130引出的信号线DTL沿列方向延伸,并且通过触点126B和引出配线128B连接到晶体管Tws的漏极123C。晶体管Tws的源极123B通过触点126C连接到驱动用晶体管TDr的栅极124A以及保持电容Cs(端子125A)的一个端部。晶体管TDr的源极124B以及保持电容Cs(端子125B)的另一个端部通过触点126D连接到有机EL装置121的阳极127A。有机EL装置121的阴极127B连接到外部阴极线CTL。
发明内容
图18图示沿图17的线A-A所取得的剖面构造的示例。在与图17中的线A-A相对应的部分中,像素120R、120G和120B在衬底111上具有栅极绝缘膜112、绝缘保护膜113和绝缘平坦膜114。在衬底111和栅极绝缘膜112之间,形成有栅极124A(端子125A)和栅极123A。
在栅极绝缘膜112和绝缘保护膜113之间并且栅极124A正上方的位置处,形成有沟道131、源极132和124B、漏极133和124C以及保护膜134。沟道131形成为与栅极124A正上方的栅极绝缘膜112接触。在栅极绝缘膜112和绝缘保护膜113之间并且栅极123A正上方的位置处,形成有沟道135、漏极136和123C、源极137和123B以及保护膜138。
在绝缘平坦膜114上,形成有机EL装置121。有机EL装置121具有这样的结构,例如其中阳极127A、有机层127C和阴极127B按次序从衬底111侧叠层。在与阳极127A共面的平面中,设置有阴极辅助配线117,阳极127A和阴极辅助配线117之间具有给定间隙。在阳极127A和阴极辅助配线117之间具有孔径117A。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010129080.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的