[发明专利]循环使用挡片的方法有效
申请号: | 201010129098.2 | 申请日: | 2010-03-11 |
公开(公告)号: | CN102191472A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 张进创;黄柏喻;叶文源;王蒙;邵明虎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;H01L21/265 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 循环 使用 方法 | ||
1.一种循环使用挡片的方法,所述挡片dummy wafer用于置入离子注入机,监控离子注入机注入剂量的正确性,该方法包括:
对挡片进行N次预定剂量的离子注入,每次预定剂量的离子注入用于监控每次使用离子注入机时,其注入剂量的正确性,N为自然数;
当N次所述离子注入后,挡片内离子注入的积累剂量达到E17原子每平方厘米时,对该挡片注入与所述离子注入相反类型的元素,所述相反类型元素的剂量为E17原子每平方厘米。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,当离子注入的元素类型为P型时,与所述离子注入相反类型的元素为N型;当离子注入的元素类型为N型时,与所述离子注入相反类型的元素为P型。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述挡片内离子注入的积累剂量达到E17原子每平方厘米的确定方法为:
离子注入机的计量装置对离子注入的剂量进行积累计量,根据所述积累计量结果确定挡片内离子注入的剂量是否达到E17原子每平方厘米。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述离子注入的束电流大于1毫安mA。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述挡片的数量为多个。
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