[发明专利]沉积薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010129477.1 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101775591A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;单洪青;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/30;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 薄膜 方法 | ||
1.一种沉积薄膜的方法，包括步骤：
提供反应室，所述反应室中间隔交替放置的电极板表面放置基板；
向所述反应室中通入混合反应气体；
采用脉冲输出射频功率的方式将所述反应气体激发为等离子体，在所述基板表面沉积薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述薄膜为非晶硅锗合金薄膜。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述混合反应气体包括含硅气体、含锗气体和氢气。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述含锗气体包括锗烷GeH4、四氟化锗GeF4、四氯化锗GeCl4中的一种或组合。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述含硅气体包括硅烷、双硅烷、四氟化硅、二氯硅烷、氟化硅烷和三氯硅烷中的一种或其组合。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述薄膜为非晶硅碳合金薄膜p层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述混合反应气体包括硅烷、乙烷、双硼烷、三甲基硼烷(TMB)和氢气。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述混合反应气体的流量大于5升/分钟。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述射频的频率包括0.1MHz～100MHz的范围。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述脉冲输出方式的脉冲频率为0.1Hz～10KHz。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述脉冲频率的占空比包括5％～50％的范围，时间平均功率密度为1～20mw/cm2。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述反应室是可大批量制造大面积薄膜太阳能电池的大型PECVD反应室。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
